一、一维无序体系电子跳跃导电研究（论文文献综述）
王东星[1]（2019）在《金属（Sn、Ag、Cu）/碳纳米管复合粉体制备及其电子输运性能研究》文中研究表明随着电子器件的微型化和智能化发展,导电纳米材料将广泛应用于柔性电极、传感器、电子封装、微波吸收、电磁屏蔽等领域。金属纳米材料表现出独特的物理和化学性能,同时也为纳米尺度金属与碳材料的复合化带来了新挑战和新机遇。常规金属纳米化导致的电子输运方式变化、以及复合化所带来的可调控电学性能,为新型电子元器件提供了重要的材料基础,是当今材料研究的热点领域之一。本文以导电金属Sn、Ag、Cu为研究目标,碳材料为复合组元,采用高温等离子体合成核/壳型金属纳米粒子、以及金属/碳纳米管复合粉体材料（Sn@CNTs、Ag@C/MWCNTs、Cu/CNTs）。研究了纳米结构在非平衡条件下的成核与长大规律,通过电阻率与温度变化关系揭示其本征电子输运方式、复合化体系电学性能调控机制,以及壳层厚度、微观结构、形貌与界面特征对电性的影响。在此基础上,测试了三种金属/碳纳米管复合粉体在微波频段电磁参数及吸波性能,分析其电磁损耗机制。主要研究内容及结果如下:（1）对于不同壳层厚度的两种Sn纳米粒子,在超导转变温度Tc～300 K温度范围内,均按Bloch-Gruneisen（BG）模式通过电子-声子耦合进行电子扩散传导,随着氧化物壳层厚度增加,粒子中结构散射因素明显增强,从而阻碍电子传导;当低于Tc时,电子受制于量子扰动而诱发隧道效应,两种粒子均出现超导现象;由于增强的表面电子-声子散射效应,两种粒子的超导临界转变温度（3.98 K和4.15 K）略高于其块体Sn（3.73 K）。在2～300 K温度范围内,Ag和Cu两种纳米粒子中的电子同样表现为BG输运模式。由于纳米粒子表面键合缺失以及特殊的核-壳界面,引发表面声子软化,并导致声子模式和振动频率的改变,计算得到Ag、Cu两种纳米粒子的德拜温度（158 K和296 K）明显低于其块体金属（235 K和343 K）。通过计算获得Ag、Cu两种纳米粒子中电子平均自由程分别为138 nm和55 nm,体现了纳米粒子的电子输运特点。（2）原位组装的Sn@CNTs、Ag@C/MWCNTs、Cu/CNTs三种复合粉体均经历气-液-固（VSL）成核与长大过程,金属组元充当CNTs生长的催化剂。由于Sn晶体（100）晶面具有最大原子数密度（0.2695 atoms/A2）及最大表面能,具有热力学不稳定性,因此在周围甲烷裂解形成的饱和碳原子作用下,Sn纳米晶体沿着[100]晶向择优生长,形成一维结构Sn纳米棒;与此同时,由于Sn金属自身催化作用,促进其表面吸附碳原子的扩散生长,形成碳纳米管结构并包裹棒状Sn纳米晶体。金属Ag和Cu亦表现出较强的催化能力,两者（111）晶面具有最低吸附原子扩散势垒（Ag～0.20 eV、Cu～0.07 eV）,周围饱和碳原子在（111）晶面上发生吸附与扩散,并生长为多壁碳纳米管结构,最终形成Ag@C/MWCNTs和Cu/CNTs纳米复合粉体。（3）对于Ag@C/MWCNTs和Cu/CNTs两种复合粉体,在2～300 K温度区间内均表现为电子变程跳跃传导（VRH）,分别在5.4 K和10.7 K发生由Mott-David（MD）VRH到Shklovskii-Efros（SE）VRH的模式转变。计算表明,两种复合粉体的库伦能隙AC分别为0.05 meV和0.14 meV小于纯碳纳米管的1～3 meV。对于Sn@CNT NRs复合粉体,在超导转变温度3.69 K以上,电子以MD变程跳跃模式传导;当低于3.69 K时,发生半导体-超导体转变,这是由于形成的Sn/CNT/Sn约瑟夫森结,诱导电子耦合成对并遂穿约瑟夫森结所导致。实验结果表明,电子在遂穿过程中被核-壳界面所部分反射,计算获得的结电阻RN≈=0.5 Ω。（4）将Sn@CNT NRs、Ag@C/MWCNTs和Cu/CNTs三种复合粉体,以不同的填充比率与石蜡基体混合,测试其电磁波吸收性能。结果表明,在50 wt.%的填充量时,Sn@CNTs/石蜡复合材料最小反射损耗值为-43.5 dB,出现在10.2 GHz处,有效吸收带宽为3.5 GHz;Cu/CNTs/石蜡复合材料最优吸收性能（-46.7 dB）出现在7.8 GHz处,有效吸收带宽为3.2 GHz;Ag@CNTs/石蜡复合材料的吸收性能相对较弱,在15.8 GHz处达到-40.3 dB,有效吸收带宽为2 GHz。三种复合粉体均表现出较好微波吸收性能,源于其中碳纳米管的优异介电损耗能力,碳纳米管自身弯曲扭折以及表面缺陷成为极化中心,有助于形成大量等效电偶极子,提高了材料整体的吸波性能。作为非磁性金属,强导电Sn、Ag、Cu组元促进局域导电能力,增强材料内部电磁波多重散射,进而提供了更多吸收与损耗几率,提高复合体系的吸波性能。
汪贻高[2]（2019）在《高温高压状态下氢与典型富氢化合物的电输运性质及其结构相变实验研究》文中指出氢是宇宙中原子结构最简单的元素,也是研究凝聚态问题的经典体系之一,金属氢可能成为新一代高密度含能材料和“高温”超导材料,因此金属氢的研究被列为压缩科学研究领域的重大科学问题之一。理论和实验研究结果都表明氢金属化压力高达数兆巴,鉴于此,探索降低氢金属化压力的技术途径成为人们关注的研究工作,其中最引人注目的是第四主族元素“化学预压”的研究思路,他们认为,碳、硅等元素对氢的“化学预压”作用,会降低氢化物体系（CH4、SiH4）的金属化压力,甚至可能在相对较低的压力下制备“金属氢合金”。第四主族元素氢化物的金属化研究是富氢天体磁场、超导材料以及新能源研究领域的重要课题之一。导电性实验测量结果是判定样品是否金属化最直接的证据,前人通过动压技术已经得到氢流体电阻率随冲击压力变化规律,并且得到了氢金属化的实验证据,但是对于高压下第四主族元素氢化物体系的电阻率变化规律知之甚少。因此针对第四主族元素氢化物开展动态加载和导电性直接测量十分有必要。为此,本文研究了氢、甲烷以及硅烷在冲击压缩状态下的电阻率。本文具体研究内容为:首先建立了高密度分子流体在动高压加载条件下电阻率的原位测量技术;其次研究动高压加载状态下氢以及两种富氢流体（CH4、SiH4）电阻率随冲击状态变化规律,探索不同体系的导电特性。借助电阻率原位测量技术,在44138GPa冲击压缩条件下,首次获得液态硅烷电阻率随冲击压力变化特征,发现在该压力区间体系从绝缘体转变为半导体,其电阻率最小值达到3×10-3Ω·cm。在89145GPa区间获得了液态甲烷电阻率随冲击压力变化规律,发现它与硅烷差别明显。在12.493GPa压力区间获得流体氢冲击电阻率数据。通过分析,我们得到了以下结论:（1）在相同的压力区间,甲烷的电阻率值明显高于硅烷和氢的电阻率值,表明冲击加载状态下甲烷分子更稳定,或者分解产物仍然保持低电导特性;（2）在富氢体系中引入硅元素和碳元素都没有明显降低氢体系的电阻率,据此推测冲击压缩状态下利用第四主族元素“化学预压”方法降低氢体系的金属化压力效果不明显,甚至对于碳元素还有将氢体系金属化压力升高的趋势;（3）依据半导体电导理论解释了氢、甲烷以及硅烷的带隙随密度变化特征,进而推算出甲烷和硅烷的金属化条件,与理论研究相符较好。本研究探索了富氢体系的电阻率随冲击压力温度的变化规律,揭示了富氢流体中掺入第四主族元素对体系导电性的影响,为金属氢、富氢天体磁场、超导材料以及新能源等研究提供参考。
王科[3]（2018）在《多层石墨烯体系量子输运特性的理论探究》文中研究指明石墨烯是目前自然界中最薄、强度最高、导电导热性能最强的二维纳米材料,碳原子在平面内排列形成六角蜂窝型结构,断裂强度比最好的钢材还要高200倍。同时它又有很好的弹性,拉伸幅度能达到自身尺寸的20%。由于石墨烯优秀的导电和机械学性质,使它成为极有潜力的超薄纳米压电导材料。范德瓦尔斯相互作用的多层石墨烯增加了石墨烯体系可调控的自由度,这种层间相互作用在调节和设计层状材料的电子结构和输运性质中起着至关重要的作用。然而关于多层石墨烯机械-电输运性质的研究很少,我们主要研究了单层到多层悬空石墨烯压电导特性。研究结果表明,石墨烯体系中的压电导效应有极强的层数依赖性质,并且在三层的时候压电导效应最为显着,压力引起层间相互作用和层内相互作用的竞争关系,在不同石墨烯堆叠结构普遍存在。石墨烯动量空间中不等价的能谷（Valley）K和K’,作为一种新的自由度,类似于电子的自旋自由度,也可以被调控并且作为信息载体设计新型电子器件,能谷的区分和操作在实际应用中至关重要。能谷自由度由动量空间中的贝利曲率来决定,在六角晶格的材料中,打破空间反演对称性（Inversion symmetry）可以在能谷K和K’上产生符号相反的贝利曲率Ω。单层石墨烯中,通过引入A-B子晶格不同的在位能来打破空间反演对称性,由于不同能谷上的电子携带相反方向的贝利曲率,导致电子在输运过程中向两边积累,产生在单层石墨烯中的能谷霍尔效应。类似在AB堆积的双层石墨烯中通过引入垂直平面方向的电场,引起层间在位能的不同,从而打破空间反演对称性,形成双层石墨烯的能谷霍尔效应。如果体系中存在一个边界,使得能谷携带的贝利曲率在边界上产生翻转,则边界处会形成受拓扑保护的拓扑受限态（Topological confinement states）或者被称为一维零线模（Zero-line modes）,携带相反符号贝利曲率的导电模相向输运,这种边界态会稳定的存在于拓扑性质相反区域的边界上,只要边界两侧区域内拓扑性质不发生改变。由于能谷K和K’在动量空间中是分离的,拓扑受限态在输运过程中不能被长程杂质和缺陷所破坏,这种输运过程受能谷非耦合对称性（no-valley mixing）保护。双层石墨烯体系中,通过电极调控不同区域上的层间在位能,并且在格点能翻转的边界上可以形成双层石墨烯上的拓扑受限态,同理可以在单层石墨烯中通过晶格近似匹配的衬底引入AB格点在位能的不同,并形成在边界区域AB格点在位能的翻转,产生单层石墨烯中的拓扑受限态。我们考虑了在单层和双层石墨烯中形成拓扑受限态并详细的研究了其能带和输运性质,双层石墨烯中的拓扑受限态存在短程无序下,输运可以被降低到0.6 e2//h,然而存在磁场的情况下,首先,石墨烯中心扭结区域的束缚态在磁场下进入朗道能级,削弱拓扑受限态和束缚态之间的散射作用,从而降低电子输运的反射概率;其次,能谷K和K’上的拓扑受限态的波函数在实空间随着磁场的增加逐渐分离,极大程度的降低了谷间散射作用（inter-valley scattering）,拓扑受限态在输运过程中的两种散射机制在磁场的存在下都被抑制削弱,使得拓扑受限态在磁场强度为8 T,即使存在强度为0.6 eW的无序,电导依然可以达到0.83（4e2/h）的量子极限。当体系费米能级接近带隙边缘时,磁场为B = 9T,体系表现出量子极限的输运特性。最后,我们研究了在磁场强度为存在两个或更多拓扑受限态相互交叉的单层石墨烯中,电流分配可以通过不同区域内的AB子格点在位能、零线模交叉点的角度、费米能以及磁场等参数来进行调控,实现电流分配在0到1之间任意调节。量子反常霍尔效应（QAHE）在无序逐渐增大时,存在丰富的相变过程,本文研究了量子反常霍尔效应存在自旋极化无序情况下的想变过程,结果发现:存在小无序情况下,量子反常霍尔效应体系中的边界态表现出非常强的鲁棒性,体态为绝缘态,随着无序强度逐渐增大,磁性无序引贝利曲率（Berry curvature）的交换进而进入金属态,随着无序强度继续增加,最后进入Anderson的绝缘相。
张玉杰[4]（2015）在《Sn掺杂In2O3和In2O3薄膜的电子输运性质研究》文中研究表明Sn掺杂的In2O3（ITO）薄膜集高的可见光透过率和低的电阻率于一身,在太阳电池、平面显示器及其他光电器件领域得到了广泛地应用。其室温电阻率ρ一般可低至1410 cm-′W,载流子浓度n介于2 0 21 310-10 cm-之间,比传统金属低2-3个数量级且具有自由电子的属性,这些特性为研究基础物理问题提供了良好的载体。本论文采用射频磁控溅射法制备了超薄ITO颗粒薄膜、不同厚度的二维ITO薄膜、均匀无序的三维ITO薄膜以及不同厚度的In2O3薄膜,分别研究了颗粒系统的电子-电子相互作用对霍尔系数和电导率的影响、ITO外延薄膜的生长过程、三维无序导体中的电子-电子散射以及表面电子态在In2O3薄膜中的作用等物理问题进行了系统研究。在玻璃基底上生长了厚度为5-13 nm的超薄ITO颗粒薄膜,并对其在2-300 K的霍尔系数与电导率进行了系统测量,实验发现:所有样品的霍尔系数在2-120 K温区均与lnT呈线性关系,并且经过和理论对比,这是来源于颗粒间电子-电子相互作用（EEI）的量子修正。同时,所有薄膜的电导率在2到几十K的温度范围内都遵从Dsμln T的规律,这也是非均匀体系的库仑相互作用导致的。这些结果首次为近期金属颗粒体系中颗粒间的EEI理论提供了强有力的实验支持。另外,通过二维弱局域理论对磁电阻的分析可以得到电子的退相位时间jt,我们发现ITO颗粒薄膜中的弱局域化效应的作用温度高达90 K,基于对退相干散射率1/jt的定量分析,样品中传导电子的退相干机制在不同温度区间分别是小能量转移的电子-电子非弹性散射（/B eT<hkt）和大能量转移的电子-电子非弹性散射（/B eT>hkt）。对于单晶基底YSZ上生长的ITO薄膜,我们系统研究了厚度从5.1 nm到52.8nm薄膜的微观结构以及电输运性质的细微变化。SEM和XRD的测量结果表明,t￡16.8 nm的薄膜是多晶的;而t326.7 nm的薄膜沿[100]方向外延生长。通过电输运性质的测量,我们发现,t326.7 nm薄膜表现出方块电导sW曲线与温度的对数（lnT）呈现线性关系,并且霍尔系数的变化量/H HDR R与电阻的变化量DR/RWW满足2倍的关系,实验结果与均匀无序系统中的EEI理论完全相符;t￡16.8 nm薄膜表现出Dσμln T和HDRμln T的行为源于颗粒间的EEI效应,并且/H HDR R与DR/RWW的比值与样品维度和颗粒的结构因子相关。另外,在具有颗粒结构的薄膜中,我们通过拟合Dσμln T提取出的gT值正好满足颗粒间EEI理论所要求的T0g=g,随着薄膜厚度增加到均匀无序导体,Tg值增加至与0g值相接近,最终达到没有任何物理意义的T0g>g。对于厚度1 um的无序均匀ITO薄膜,我们测量了4-35 K温度范围内磁电阻的变化。实验发现,通过3D弱局域理论对磁电阻的分析所提取出的退相干散射率与3/2T呈现很好的线性关系。另外,我们还发现在固定温度T时,薄膜的退相干散射率与5/2 3/2Fk l--也满足线性关系。3D无序导体中小能量转移的电子-电子非弹性散射可以很好的解释我们的实验结果,首次为3D无序导体中存在电子-电子散射提供了坚实的实验依据。经过分析我们获知,在该三维体系中能观察到小能量转移的电子-电子非弹性散射的主要原因是通氧之后ITO薄膜的载流子浓度比纯Ar气氛下还要低1个量级,并且无序程度的范围又恰到好处,这在一定程度上抑制了电子-声子非弹性散射。通过测量了不同厚度（从956到9 nm）外延In2O3薄膜中电导率和载流子浓度的变化,我们发现超薄薄膜的电导率高达4000 S/m,比较厚薄膜的增加了一个量级。我们观察到摇摆曲线的展宽和带隙尺寸的缩小,说明在In2O3薄膜中存在穿透位错密度较高的缓冲层以及随着表面层和体层比率增加而凸显出的表面效应。光学带隙以及PL谱的测量反映了薄膜表面层的能带结构不同于体带隙,并且薄膜表面氧空位形成浅施主能级。我们的实验结果证实了TCOs材料表面确实存在氧缺陷,并且主导着薄膜高电导率的特性。
郭子政[5]（2012）在《无序材料Anderson局域化研究的一些新进展》文中进行了进一步梳理Anderson局域化是固体物理学的经典问题。近年来,随着研究的深入,Anderson局域化逐渐与光学、量子信息、纳米结构等领域的概念相结合,在研究领域上得到空前的扩展,并取得了许多重要的进展。简单综述了这些进展,并重点介绍了关联无序、梯度无序、并发纠缠、壳掺杂纳米线等相关概念和理论。
何林[6]（2012）在《块体、厚膜和薄膜NTC热敏电阻的制备与性能》文中提出具有AB2O4尖晶石结构的Mn系过渡金属氧化物是NTC热敏电阻主要的材料体系；高性能膜状（厚膜和薄膜）NTC热敏电阻的制备是NTC热敏电阻领域的研究热点；多晶膜状NTC热敏电阻的导电机理研究是目前热敏电阻理论研究中的难点与重点。本文选择Mn系尖晶石NTC体系为主要研究对象；以实现NTC热敏电阻的膜状化和解决多晶膜状NTC热敏电阻导电机理中的难点为主要研究目标；在大量块体NTC热敏电阻的实验数据为基础上，以丝网印刷法制备厚膜NTC热敏电阻、溶胶-凝胶法制备薄膜NTC热敏电阻和变温复阻抗谱分析多晶膜状NTC热敏电阻的导电机理为主要技术途径，开展了一系列的研究工作。对块体、厚膜和薄膜NTC热敏电阻的制备工艺参数进行了较系统的研究；以小极化子跳跃导电理论为基础，采用复阻抗谱的方法分析了影响厚膜和薄膜NTC热敏电阻性能的主要工艺参数对其导电机理的影响。首先，研究了组分、烧结温度和粉体制备方法对Mn-Ni-O二元系、Mn-Co-Ni-O三元系和Mn-Co-Ni-Cu-O四元系块体热敏电阻的微结构和电性能的影响，结果表明：采用溶胶-凝胶法合成的粉体，烧结温度为1180oC，保温时间为3h，组分为Ni0.85Co0.3Mn1.85O4（MCN）的块体热敏电阻各项性能均较优异。其次，基于块体NTC热敏电阻实验数据，采用丝网印刷法在Al2O3基底上制备了MCN厚膜热敏电阻，讨论了固含量（50%、67%和75%）、烧结温度（1150、1180和1200oC）和电极形状（端电极和叉指电极）对MCN厚膜热敏电阻微结构和电性能的影响。结果表明：固含量为67%，烧结温度为1180oC时，制备有端电极和叉指电极的MCN厚膜热敏电阻的性能均较优异。采用端电极的MCN厚膜R-T关系满足指数关系（R=R0exp（B/T）），而采用叉指电极的厚膜热敏电阻的R-T关系为线性关系（R=R0+AT）。分析了电极形状对MCN厚膜热敏电阻R-T关系的影响：端电极MCN厚膜热敏电阻，端电极的宽度并不会影响其R-T关系的指数关系；叉指电极MCN厚膜热敏电阻，叉指间距离的改变不会影响其R-T关系的线性关系；叉指长度（a值）的大小是影响其R-T关系的主要原因；当a值变小时，厚膜热敏电阻的R-T关系由开始的线性关系慢慢过渡到指数关系。采用Ansoft maxwell12软件对MCN厚膜的电势能和电场分布进行了简单的分析。第三，采用溶胶-凝胶法在Al2O3基底上成功制备了MCN薄膜热敏电阻。研究了退火温度（650、700、750和800°C）和薄膜厚度（519.6、627.8和742.3nm）对MCN薄膜微结构和电性能的影响。对于MCN薄膜热敏电阻而言，750°C为最佳的退火温度。750°C下制备的MCN薄膜热敏电阻的室温电阻R25=4.8MΩ，特征温度T0=3720.6K，老化系数ΔR/R=3.7%。厚度对MCN薄膜热敏电阻的T0值影响不大；样品R25随着厚度的增加而减小，近似于线性减小；厚度对MCN薄膜热敏电阻的老化系数影响不大。为了达到减小电阻值的目的，采用溶胶-凝胶法在Al2O3基底上，700°C退火温度下，成功制备了Ni0.85Co0.3CuxMn1.85-xO4（MCCN，x=0，0.15，0.3和0.45）薄膜，研究了组分对MCCN薄膜热敏电阻的微观结构和电性能的影响。对于MCCN薄膜热敏电阻而言，当x=0.15，MCCN热敏电阻的R25较小（0.56MΩ），灵敏度较高（T0=4107.0K），老化系数较小（ΔR/R=5.7%），为较合适的组分。第四，通过对具有不同叉指长度（a值）的叉指电极MCN厚膜热敏电阻的变温复阻抗谱的分析，我们得到了具有不同a值的MCN厚膜热敏电阻中晶粒与晶界的R-T特性。样品中晶界电阻(Rgb)均大于晶粒电阻（Rg）；晶粒内部电子的输运为变程跳跃（VRH）；a值越大，晶粒电阻和特征温度越小；当a值变小时，样品晶界的Rgb-T关系由开始的线性关系慢慢过渡到指数关系，这是引起厚膜热敏电阻R-T关系随a值大小发生变化的主要原因。第五，通过对不同晶粒尺寸的MCN薄膜热敏电阻变温复阻抗谱的分析，我们得到了：在不同晶粒尺寸的MCN薄膜热敏电阻中，晶粒与晶界处电子的导电均为跳跃导电； Rgb均大于Rg，这说明材料的电阻由晶界主导；而晶粒特征温度（T0g）均大于晶界特征温度（T0gb），这说明材料中特征温度由晶粒主导。晶界的电子跳跃形式为最近邻跳跃（NNH），而晶粒内部电子的跳跃形式为由VRH向NNH过渡的跳跃方式，薄膜热敏电阻中电子跳跃形式为NNH主导的，VRH和NNH相结合的跳跃形式。NTC厚膜和薄膜热敏电阻制备工艺参数的研究以及内部导电机理的分析将为NTC厚膜和薄膜的工业应用提供有意义的指导。
宋招权[7]（2011）在《一维及准一维无序体系电子输运性质研究》文中认为以一维、准一维DNA分子链及准一维多链无序体系为研究对象,从单电子紧束缚模型的哈密顿量出发,利用在负本征值理论及无限阶微扰理论发展起来的多对角高阶随机厄米矩阵的求解方法及传输矩阵方法、重整化群方法等,研究了一维随机二元无序DNA分子链、一维准周期Cantor型和RS型人工DNA序列、SRY基因序列、准一维多链无序体系、准一维鱼骨模型DNA分子链及准一维Ladder模型的DNA分子链的电子结构及电子输运特性。（1）对于一维二元随机无序DNA分子链,我们发现DNA分子中某一碱基对的比例越高,系统能量态密度分布的对称性越好,电子输运能力亦越强。由单一碱基对构成的DNA分子的饱和电流强度远大于由两种碱基对按一定的组分随机分布的DNA分子的饱和电流强度,且当DNA分子中两种碱基对的含量相等时,其饱和电流强度最小。同时,富含C-G碱基对的DNA分子比富含A-T的DNA分子的电子输运能力大。金属电极位能对DNA分子电子输运的影响体现在两方面,一方面,当偏压较小时电极位能具有阻碍电荷注入的效果,另一方面,当偏压较大时,电极位能有增强电荷注入的效果。当耦合强度与DNA分子碱基对间交互作用相等,发生共振电子注入,体系饱和电流强度最大。当耦合强度大于DNA分子碱基对间交互作用时,随着耦合强度的增大,电荷注入能力减小,其饱和电流强度亦相应减小。（2）对于Cantor型和RS型人工DNA序列,采用一维随机行走模型和Hurst分析法研究了系统的重标极差函数和Hurst指数等描述统计属性的物理量,对序列中可能存在的关联进行了探讨；从Anderson紧束缚模型出发,用负本征值理论和无限阶微扰理论研究了系统的电子态密度；采用重整化群方法研究了该序列的电子输运特性。研究发现,这些准周期序列中存在扩展态、局域态和临界态三者是共存状态；序列的净位移及其标准偏差函数曲线对标度变化的稳定性直接证明了其标度不变性及自相似性；Cantor序列的Hurst指数约为0.23,小于0.5,说明该系统具有内在的正相关属性,而RS序列的Hurst指数在0.5附近波动,说明该序列的不同部分具有不同的关联属性,有些片段呈现正相关,而有些片段则呈现负相关；这些序列中存在相当数量具有好的透射性的扩展能态,且随着序列长度的增加,扩展态的能量区间变得更为细碎,共振峰的数量、高度及位置均有所改变,具有好的透射性的电子态数量略有减少,但能在相对较长的序列中维持其存在,推测为Cantor型和RS型序列中存在着关联的结果,并且,相对而言,RS型序列中的关联比较弱。（3）对SRY（Sex determining Region Y）基因序列的研究表明,系统的能量本征值分布在能量区间[7.6eV,9.1eV]中,在低能态区间有较小的态密度分布,系统中存在几个宽度基本固定的能隙,当SRY态的数量增加时,增加的态极少出现在带隙中,绝大部分新增的能态只是使原来能量带的能态密度更大。在这种实际的DNA中,绝大多数情况下,系统中电子的局域长度小于系统的链长,局域态占据着绝大多数,扩展态只存在于几个孤立能量值下,说明SRY序列对电子具有一定的透射性,但鉴于无连续扩展态的存在,它们对系统的总的电导的贡献是微小的,在热力学极限之下,输运系数T（E）急剧减小,其导电性几乎可以忽略。SRY基因序列Hurst指数不是一个单一值,在序列的不同区间可以取得大于或小于0.5的Hurst指数值,说该序列有正关联或负关联的存在。（4）一维无序系统和准一维双链、三链无序系统在电子结构上存在很大的差异,即一维与带状结构的电子结构存在本质区别。在有序情况下,随着系统链数的增加,电子态密度的峰值数目同样明显增多。一维单链无序系统有2个峰值,准一维双链无序系统有4个峰值,准一维三链无序系统有6个峰值；对角无序体现系统的成分无序；非对角无序体现系统的结构和粒子边界效应。非对角无序对无序系统电子态密度的分布影响更大。态密度为零的能量区间的减少,是从一维到准一维,即在向二维过渡的变化中所带来的影响,是维数效应的体现。准一维无序系统电子可在两个方向上运动带来能带结构的变化,使一维情况下态密度为零的某些能量区间被覆盖。准一维三链无序系统电子态密度分布底部出现空白,说明准一维三链无序系统的这些能量区间上电子的态密度起伏比较小。（5）准一维多链无序体系中由于格点能量无序的存在,其电子波函数同样呈现出局域化特性；当体系大小及链数确定时,格点能量无序度的减小会导致在中间能区发生退局域化现象,表现为在中间能区电子波函数的局域化程度大于体系大小,即出现扩展态,且出现扩展态的能量区间随着无序度的减小而呈增大的趋势,同时,随着链数的增加,体系有向退局域化方向发展的趋势。在中间能区电子输运透射系数较大,而在低能区及高能区透射系数较小,同时格点能量无序与维度效应对体系的电子输运存在竞争效应,当体系格点数及链数一定时,体系的透射系数随着格点能量无序度的增大而减小,而当体系格点数及格点能量无序度一定时,准一维多链无序体系的透射系数随着体系链数的增大而增大。（6）在准一维DNA分子链鱼骨模型中,骨架格点的引入极大地影响了DNA分子的这些性质,当计入骨架格点的影响,随着环境无序度W的增大,电子态密度谱的峰值减小,整个能量本征值范围展宽,能带之间有逐渐融合趋势,能带间隙变窄,体现出了一定的无序系统特征,并且各种无序效应所产生的影响还不尽相同,其中二元无序所产生的影响最大；环境无序之下DNA分子中的电子态基本都是局域的,多数电子态的局域长度小于系统的长度；考虑骨架在位势的DNA分子可能具有半导体属性,存在着大小基本稳定的阈值,且电导σ随无序度W的变化呈现非单调性,随着W的增大,σ先增大后变小再增大。而对准一维Ladder模型的DNA分子链,研究发现人体的Ch22染色体中应该存在有弱关联,这种弱关联虽然还没强到使其成为导体,但能使其具有一定的电荷输运能力。也正是这种导电能力使人们对DNA作为分子导体、分子器件的应用前景充满着兴趣和期待。
郭锐[8]（2010）在《DNA无序算法的改进及其应用》文中研究指明DNA是二十世纪人类对自身探索的一个里程碑,但至今DNA仍有许多未解之谜,然而随着生物、物理、化学等学科的交叉及纳米技术的飞速进展,人们对DNA的研究日益增多。DNA自身的自组装性、可识别性以及生物特性使DNA成为一种潜在的纳米器件材料,最近关于DNA缠绕碳纳米管的研究和DNA编织材料的突破,更促使人们对DNA的物理性质进行深入的理论研究,本文通过对无序DNA体系的紧束缚模型本征问题的算法进行改进及部分创新,以及应用此算法对不同链数的DNA电子结构进行研究,以期探索DNA较普遍的一些规律。因此,本文的工作重点分为2部分：首先本文对于DNA紧束缚模型的本征问题求解算法进行了改进,提出了基于Dean方法的均分法本征值算法,避免了步进法的一些缺点,另外通过结合零点位移的反幂法和逆迭代法,得到一个本征矢的算法,此算法在使用均分法的结果基础上可快速得到精确的本征矢,与此同时可修正所输入的本征值,使其更精确。利用这一特点,本文将均分法与本征矢算法相结合,提出了一个综合优化的方法,并通过与其它算法的比较,证明本文本征问题综合算法的精度可控,效率较高。本文紧接着应用以上方法探索不同链数的DNA的的电子结构规律。首先通过哈密顿量和布洛赫函数,求得了对双链的poly（G）-poly（C）DNA和四链的G4-DNA的能带公式,并同时对含有磷酸糖骨架的DNA的能带公式一并计算,得出能带结构图,并从中看到了能级分裂的现象。在态密度分布图中,通过改变链间跃迁积分和链内跃迁积分的值,我们可得到两种模型的能态密度的分布随跃迁积分的变化而出现的规律,进而求得poly（G）-poly（C） DNA的金属-半导体相变与跃迁积分的关系式以及带隙与跃迁积分的关系式；对于G4-DNA也得到了导电性最好时跃迁积分所需满足的条件。最后,本文将带有无序度的磷酸糖骨架引入DNA模型中,探寻骨架格点能增大时不同链数DNA的电子态密度分布变化情况,从中得到G4的传输性较poly（G）-poly（C）DNA无序抗扰动,即G4的电子传输性质较双链稳定。
安彩虹[9]（2010）在《一维关联无序系统中电子态的研究》文中进行了进一步梳理自从Anderson在1958年指出无序系统的局域性后,无序系统的局域特性就受到了人们极大的关注,并且成为理论和实验的研究热点。1961年Mott和Twose指出一维无序系统中不可能存在扩展态。而且后来的标度理论证明,即使在无序强度W极其微弱的情况下,一维完全无序系统中也仅有局域化的电子,没有扩展态电子的出现,因此并不存在金属—非金属态转变。在最近几十年中,人们用各种方法研究了很多低维关联无序模型,包括短程关联无序体系和长程关联无序体系。这些模型的共同特点是有扩展态存在。长期以来,对无序系统电子局域性的研究经常采用局域长度、Lyapunov指数等测度。也有学者考虑了并发纠缠作为无序系统测度的可能性,并发现在短链和较长链的长程幂率关联无序体系中,并发纠缠随无序度的变化曲线中存在带结构。许多物理问题最终都会归结为求解本征值和本征矢的问题。在无序体系中,虽然那些与周期性有关的物理量不再适用来描述体系的性质,但是本征值、本征波函数、态密度等物理量仍有明确意义。我们要知道的是本征波函数和本征能量是否也可以作为无序体系电子局域性的测度。本文对这些问题进行了探讨。也进一步探讨了并发纠缠作为测度的可能性。作为关联Anderson模型的例子,本文还研究DNA分子链的并发纠缠,并基于此分析了其电子局域性质。
韩汝珊,李铁军[10]（2007）在《DNA的电学性质与关联无序》文中研究说明提纲1)DNA的电学性质概述图示解说直接测量2)关联无序序Carpena工作简介一维无序体系中态的局域化解的分析及推广问题
二、一维无序体系电子跳跃导电研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、一维无序体系电子跳跃导电研究（论文提纲范文）
（1）金属（Sn、Ag、Cu）/碳纳米管复合粉体制备及其电子输运性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 主要符号表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 金属纳米粒子 |
| 1.1.1 金属纳米粒子的特性及其应用 |
| 1.1.2 金属纳米粒子的制备 |
| 1.1.3 金属纳米粒子中电子的输运机制 |
| 1.2 金属/碳纳米管复合材料 |
| 1.2.1 碳纳米管 |
| 1.2.2 金属/碳纳米管复合材料 |
| 1.2.3 金属/碳纳米管复合材料制备 |
| 1.2.4 金属/碳纳米管复合体系中电子输运行为 |
| 1.2.5 金属/碳纳米管复合材料应用 |
| 1.3 直流电弧等离子体法制备金属及其碳纳米管复合材料 |
| 1.3.1 等离子体简介 |
| 1.3.2 直流电弧等离子体蒸发法 |
| 1.3.3 直流电弧等离子体设备及其原理 |
| 1.4 本文研究的目的与内容 |
| 1.4.1 研究目的与意义 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 2 核/壳型金属(Sn、Ag、Cu)纳米粒子的制备及其电子输运行为 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 2.2.2 纳米粉体制备 |
| 2.2.3 结构、形貌及其电性能的表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 纳米粒子结构表征 |
| 2.3.2 纳米粒子电子输运行为 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 金属(Sn、Ag、Cu)/碳纳米管复合粉体材料的制备及其电学特性 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料和与仪器设备 |
| 3.2.2 粉体的制备 |
| 3.2.3 结构、形貌及其电性能的表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 结构表征 |
| 3.3.2 样品的电子输运行为 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 金属(Sn、Ag、Cu)/CNTs复合材料的吸波性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 4.2.2 (Sn、Ag、Cu)/CNTs与石蜡复合体的制备 |
| 4.2.3 电磁参数的测定及计算原理 |
| 4.3 金属(Sn、Ag、Cu)/CNTs复合粉体材料的电磁特性 |
| 4.3.1 Sn@CNT NRs复合粉体的电磁波吸收性能 |
| 4.3.2 Ag@C/MWCNTs复合粉体的电磁波吸收性能 |
| 4.3.3 Cu/CNTs复合粉体的电磁波吸收性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论、创新点及展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 创新点 |
| 5.3 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（2）高温高压状态下氢与典型富氢化合物的电输运性质及其结构相变实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 氢及典型富氢化合物的研究现状 |
| 1.2.1 金属氢的研究现状 |
| 1.2.2 硅烷的研究现状 |
| 1.2.3 甲烷的研究现状 |
| 1.3 论文的主要研究内容与章节安排 |
| 1.3.1 研究内容的提出 |
| 1.3.2 主要研究内容 |
| 1.3.3 章节安排 |
| 第2章 动态加载实验原理及热力学状态计算方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 冲击加载 |
| 2.3 飞片速度测量原理 |
| 2.4 多次冲击过程概述 |
| 2.5 阻抗匹配原理 |
| 2.6 编程流程图 |
| 2.7 分子流体的状态方程计算 |
| 2.7.1 热力学计算 |
| 2.7.2 分子间作用势 |
| 2.8 本章小结 |
| 第3章 冲击加载状态下电阻率原位测量方法 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备及原位诊断 |
| 3.2.1 几何设计原则 |
| 3.2.2 靶体设计 |
| 3.2.3 高密度分子流体样品制备 |
| 3.2.4 冷却系统设计 |
| 3.3 样品几何因子的确定 |
| 3.4 实验方法的改进 |
| 3.4.1 光电同步观测技术 |
| 3.4.2 电阻测试电路 |
| 3.5 实验方法的验证 |
| 3.6 误差分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 氢的电阻率实验研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验结果 |
| 4.3 分析与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 硅烷的电阻率及瞬态拉曼光谱研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 电阻率实验结果 |
| 5.2.1 热力学计算参数 |
| 5.2.2 信号分析 |
| 5.2.3 导电性及其结构相变 |
| 5.3 分析与讨论 |
| 5.4 样品电阻的计算 |
| 5.5 液态硅烷分子稳定性研究 |
| 5.5.1 拉曼散射原理 |
| 5.5.2 分子稳定性分析 |
| 5.5.3 光谱展宽分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 甲烷的电阻率测量 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验结果 |
| 6.3 分析与讨论 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 氢及富氢化合物导电机理及相变预测 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 理论依据 |
| 7.3 带隙随密度的变化规律 |
| 7.4 金属化相变条件预测 |
| 7.5 电阻率实验值与模拟值 |
| 7.6 本章小结 |
| 全文总结 |
| 1.全文研究的主要成果与创新之处 |
| 2.尚需进一步研究的问题 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 1β-C_3N_4 的冲击合成 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文及科研成果 |
（3）多层石墨烯体系量子输运特性的理论探究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 介观电子输运(Mesoscopic electronic transport) |
| 1.2 贝利相位效应 |
| 1.2.1 周期绝热演化 |
| 1.2.2 贝利曲率 |
| 1.3 石墨烯体系的拓扑受限态 |
| 1.4 Anderson局域化 |
| 第2章 紧束缚模型、Landauer-Buttiker公式以及格林函数方法 |
| 2.1 紧束缚模型 |
| 2.2 Landauer-Buttiker公式 |
| 2.3 格林函数方法 |
| 2.4 大体系电导计算的转移矩阵方法 |
| 2.5 示例一:单层石墨烯纳米带的能带结构和电子输运 |
| 2.6 示例二:双层石墨烯纳米带能带结构和电子输运 |
| 2.7 示例三:单层石墨烯体系的量子反常霍尔效应 |
| 第3章 多层石墨烯的压电电导效应 |
| 3.1 多层石墨烯电子结构 |
| 3.2 不同堆积结构的影响 |
| 3.3 多层石墨烯纳米条带尺寸效应对能带的影响 |
| 3.4 压电电导效应的层数依赖关系 |
| 3.5 小结 |
| 第4章 双层石墨烯中一维拓扑受限态电子输运特性研究 |
| 4.1 AB堆积结构双层石墨烯的紧束缚模型 |
| 4.2 石墨烯中的拓扑受限态 |
| 4.2.1 拓扑受限态的能带 |
| 4.2.2 拓扑受限态在存在无序情况下的输运性质 |
| 4.3 磁场下的拓扑受限态性质研究 |
| 4.3.1 磁场强度的影响 |
| 4.3.2 费米能级的影响 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 石墨烯中拓扑受限态的电流分配特性研究 |
| 5.1 相互交叉拓扑受限态的紧束缚模型哈密顿量,电导以及局域电流密度 |
| 5.2 两个拓扑受限态相互交叉下电流分配随角度以及费米能级的依赖关系 |
| 5.3 两个拓扑受限态相互交叉下电流分配随相对有效质量比值△_1/△_2的依赖关系 |
| 5.4 两个拓扑受限态交叉情况下磁场对电流分配的影响 |
| 5.5 网格结构的拓扑受限态电流分配特性研究 |
| 5.6 小结 |
| 第6章 量子反常霍尔效应体系中自旋反转无序导致的Ander-son局域化 |
| 6.1 量子反常霍尔效应的Anderson局域化过程研究 |
| 6.2 非磁性无序下局域化长度的计算 |
| 6.3 磁性无序下局域化长度的计算 |
| 6.3.1 磁性无序下体系的贝利曲率 |
| 6.4 小结 |
| 第7章 总结和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
（4）Sn掺杂In2O3和In2O3薄膜的电子输运性质研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 介观系统 |
| 1.2 无序均匀系统的量子输运 |
| 1.2.1 弱局域化现象 |
| 1.2.2 退相干散射机制 |
| 1.2.3 电子-电子相互作用 |
| 1.3 金属性颗粒系统中的量子输运 |
| 1.3.1 金属颗粒系统的纵向输运 |
| 1.3.2 金属颗粒系统的霍尔输运 |
| 1.4 ITO透明导电氧化物简介 |
| 1.4.1 ITO的晶体结构和电子结构 |
| 1.4.2 ITO薄膜的电学性质 |
| 1.5 存在的问题以及主要工作 |
| 第二章 样品的制备与表征 |
| 2.1 样品的制备 |
| 2.1.1 ITO和In_2O_3薄膜的制备 |
| 2.1.2 射频磁控溅射仪简介 |
| 2.1.3 薄膜的溅射条件 |
| 2.2 结构表征与物性测量 |
| 2.2.1 表面形貌表征 |
| 2.2.2 晶体结构表征 |
| 2.2.3 薄膜厚度测量 |
| 2.2.4 光学性质测量 |
| 2.2.5 电输运性质测量 |
| 第三章 超薄ITO薄膜的电输运机制 |
| 3.1 超薄ITO薄膜的微观结构和电学性质 |
| 3.1.1 薄膜厚度的确定 |
| 3.1.2 表面形貌和颗粒尺寸的分析 |
| 3.1.3 颗粒薄膜高温区的金属导电性 |
| 3.1.4 颗粒间的电子-电子相互作用 |
| 3.2 颗粒薄膜传导电子的退相干机制 |
| 3.3 二维ITO薄膜中颗粒体系到均匀体系的转变 |
| 3.3.1 薄膜的晶体结构和表面形貌分析 |
| 3.3.2 电子-电子相互作用对均匀和颗粒薄膜电导率的影响 |
| 3.3.3 电子-电子相互作用对均匀和颗粒薄膜霍尔系数的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 三维ITO薄膜的电输运机制 |
| 4.1 氧分压对薄膜微结构和电输运的影响 |
| 4.1.1 三维ITO薄膜的晶体结构 |
| 4.1.2 三维ITO薄膜的表面形貌 |
| 4.1.3 氧分压对薄膜电输运性质的影响 |
| 4.2 三维ITO薄膜的低温量子效应 |
| 4.2.1 低温区薄膜电导率的修正 |
| 4.2.2 电子传导的退相干机制 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 In_2O_3薄膜的导电性和超薄膜ES/Mott变程跳跃导电机制 |
| 5.1 晶体结构分析 |
| 5.2 光学结果分析 |
| 5.2.1 In_2O_3薄膜的透射谱和光学带隙 |
| 5.2.2 In_2O_3薄膜的光致发光性质 |
| 5.3 In_2O_3薄膜的高电导率的来源 |
| 5.3.1 电阻率的测量 |
| 5.3.2 霍尔效应的测量和分析 |
| 5.3.3“三区域”能带模型 |
| 5.4 In_2O_3薄膜中ES/Mott变程跳跃的导电行为 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（6）块体、厚膜和薄膜NTC热敏电阻的制备与性能（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 NTC热敏电阻简介 |
| 1.1.1 NTC热敏电阻的历史与分类 |
| 1.1.2 NTC热敏电阻的应用与发展趋势 |
| 1.1.3 NTC热敏电阻的研究热点 |
| 1.2 尖晶石型NTC热敏材料的导电机理 |
| 1.2.1 尖晶石的结构 |
| 1.2.2 不同金属离子对电性能的影响 |
| 1.2.3 尖晶石NTC热敏材料的跳跃导电模型 |
| 1.2.4 Mn系尖晶石NTC热敏材料的小极化子跳跃导电模型 |
| 1.2.5 多晶NTC材料复阻抗谱分析方法 |
| 1.3 本论文的研究内容与目标 |
| 1.3.1 NTC热敏电阻在制备与应用过程中存在的问题 |
| 1.3.2 本文的研究内容与目标 |
| 1.4 本论文的创新之处 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 块体NTC热敏电阻的制备 |
| 2.1.1 所用原料及主要仪器设备 |
| 2.1.2 制备工艺流程 |
| 2.2 厚膜NTC热敏电阻的制备 |
| 2.2.1 所用原料及主要仪器设备 |
| 2.2.2 制备工艺流程 |
| 2.3 薄膜NTC热敏电阻的制备 |
| 2.3.1 所用原料及主要仪器设备 |
| 2.3.2 制备工艺流程 |
| 2.4 NTC热敏电阻性能表征 |
| 2.4.1 结构分析 |
| 2.4.2 电性能分析 |
| 第三章 块体NTC热敏电阻的性能研究 |
| 3.1 组分和烧结温度对MN-NI-O二元系块体NTC热敏电阻性能的影响 |
| 3.1.1 组分对Mn-Ni-O二元系块体NTC热敏电阻性能的影响 |
| 3.1.2 烧结温度对Mn-Ni-O二元系NTC块体热敏电阻性能的影响 |
| 3.2 组分、烧结工艺和粉体合成方法对MN-CO-NI-O三元系块体NTC热敏电阻性能的影响 |
| 3.2.1 组分对Mn-Co-Ni-O三元系块体NTC热敏电阻性能的影响 |
| 3.2.2 烧结工艺对Mn-Co-Ni-O三元系块体NTC热敏电阻性能的影响 |
| 3.2.3 粉体合成方法对Mn-Co-Ni-O三元系块体NTC热敏电阻性能的影响 |
| 3.3 组分和粉体制备方法对MN-CO-NI-CU-O四元系块体NTC热敏电阻性能的影响 |
| 3.3.1 组分对Mn-Co-Ni-Cu-O四元系块体NTC热敏电阻性能的影响 |
| 3.3.2 粉体合成方法对Mn-Co-Ni-Cu-O四元系块体NTC热敏电阻性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 厚膜NTC热敏电阻的性能研究 |
| 4.1 固含量对MCN厚膜热敏电阻微观结构的影响 |
| 4.2 烧结温度对MCN厚膜热敏电阻性能的影响 |
| 4.2.1 烧结温度对MCN厚膜样品微观结构的影响 |
| 4.2.2 烧结温度对MCN厚膜热敏电阻电性能的影响 |
| 4.3 电极形状对MCN厚膜热敏电阻阻温特性的影响 |
| 4.3.1 端电极形状对MCN厚膜热敏电阻阻温特性的影响 |
| 4.3.2 叉指电极形状对MCN厚膜热敏电阻阻温特性的影响 |
| 4.4 叉指电极长度对MCN厚膜热敏电阻电场和电势分布的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 薄膜NTC热敏电阻的性能研究 |
| 5.1 退火温度对NI_(0.85)CO_(0.3)MN_(1.85)O_4薄膜热敏电阻性能的影响 |
| 5.1.1 退火温度对MCN薄膜热敏电阻相结构的影响 |
| 5.1.2 退火温度对MCN薄膜热敏电阻表面形貌的影响 |
| 5.1.3 退火温度对MCN薄膜热敏电阻电性能的影响 |
| 5.2 厚度对MCN薄膜热敏电阻性能的影响 |
| 5.2.1 不同厚度MCN薄膜热敏电阻的断面形貌 |
| 5.2.2 厚度对MCN薄膜热敏电阻电性能的影响 |
| 5.3 组分对NI0.85CO0.3CUUX 79MN1.85-XO4薄膜热敏电阻性能的影响 |
| 5.3.1 组分对MCCN薄膜热敏电阻相结构的影响 |
| 5.3.2 组分对MCCN薄膜热敏电阻微观形貌的影响 |
| 5.3.3 组分对MCCN薄膜热敏电阻电性能的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 厚膜和薄膜NTC热敏电阻的导电机理研究 |
| 6.1 不同叉指长度MN_(1.85)CO_(0.3)NI_(0.85)O_4厚膜热敏电阻复阻抗谱分析 |
| 6.1.1 a值对MCN厚膜热敏电阻复阻抗谱的影响 |
| 6.1.2 a值对MCN厚膜热敏电阻晶粒与晶界电阻的影响 |
| 6.2 不同晶粒尺寸的MN1.85CO0.3NI0.85O4薄膜热敏电阻复阻抗谱分析 |
| 6.2.1 晶粒尺寸对MCN薄膜热敏电阻复阻抗谱的影响 |
| 6.2.2 晶粒尺寸对MCN薄膜热敏电阻晶粒与晶界电阻的影响 |
| 6.2.3 晶粒尺寸对MCN薄膜热敏电阻晶粒与晶界电子跳跃方式的影响 |
| 6.2.4 晶粒尺寸对MCN薄膜热敏电阻晶粒与晶界特征温度的影响 |
| 6.2.5 晶粒尺寸对MCN薄膜热敏电阻晶粒与晶界激活能的影响 |
| 6.3 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附录 |
（7）一维及准一维无序体系电子输运性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪言 |
| 1.1 研究意义 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.3 无序体系主要理论研究成果 |
| 1.3.1 Anderson模型 |
| 1.3.2 标度理论 |
| 1.3.3 Mott假定及其电导理论 |
| 1.3.4 愈渗模型 |
| 1.3.5 Kubo-Greenwood公式 |
| 1.3.6 Miller—Abrahams电导 |
| 1.4 本文主要研究内容 |
| 第二章 无序体系理论研究方法 |
| 2.1 负本征值理论 |
| 2.2 格林函数方法 |
| 2.3 无限阶微扰理论及本征矢的计算 |
| 2.4 多对角全随机厄米矩阵本征问题求解 |
| 2.5 传输矩阵方法 |
| 第三章 一维DNA分子链电子结构与输运特性 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 一维二元随机无序DNA分子链电子结构与输运特性 |
| 3.2.1 一维二元随机无序DNA分子链模型 |
| 3.2.2 一维二元随机无序DNA分子链电子态密度 |
| 3.2.3 一维二元随机DNA分子链电子输运系数 |
| 3.2.4 一维二元随机DNA分子链电子输运I-V特性 |
| 3.3 Cantor型DNA分子的电子结构与输运特性 |
| 3.3.1 Cantor型DNA分子模型 |
| 3.3.2 Cantor型DNA分子的电子态密度 |
| 3.3.3 Cantor型DNA分子的电子态局域长度和输运系数 |
| 3.3.4 Cantor型DNA分子的Lyapunov系数 |
| 3.3.5 Cantor型DNA分子的统计属性 |
| 3.4 Rudin-Shapir型DNA分子的电子结构与输运特性 |
| 3.4.1 RS型DNA分子模型 |
| 3.4.2 RS型DNA分子电子结构 |
| 3.4.3 RS型DNA分子电子态的输运性质 |
| 3.4.4 RS型DNA分子的统计属性 |
| 3.5 实际DNA分子的电子结构及输运性质 |
| 3.5.1 SRY序列 |
| 3.5.2 SRY序列的电子结构 |
| 3.5.3 SRY序列的输运系数 |
| 3.5.4 SRY序列的统计属性 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 准一维无序体系电子结构与输运特性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 准一维多链无序体系模型 |
| 4.3 准一维无序体系电子态密度 |
| 4.3.1 有序情况时准一维三平行链无序系统电子态密度 |
| 4.3.2 对角无序时准一维多链无序系统电子态密度 |
| 4.3.3 非对角无序时准一维多链无序系统电子态密度 |
| 4.3.4 完全无序时准一维多链无序系统电子态密度 |
| 4.3.5 一维、准一维无序体系电子态密度比较 |
| 4.4 准一维无序体系电子局域化特性 |
| 4.4.1 准一维多平行链无序系统电子波函数局域态 |
| 4.4.2 准一维多平行链无序体系电子波函数局域长度 |
| 4.5 准一维无序体系的电子输运性质 |
| 4.5.1 准一维多平行链无序体系电子输运传输矩阵模型 |
| 4.5.2 准一维多平行链无序体系透射系数 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 准一维DNA分子链电子结构与输运特性 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Fish-bone型DNA的电子结构和输运性质 |
| 5.2.1 Fish-bone型DNA分子模型 |
| 5.2.2 Fish-bone型DNA分子的电子结构 |
| 5.2.3 Fish-bone型DNA分子的电子输运性质 |
| 5.2.4 Fish-bone型DNA分子伏安特征 |
| 5.3 Ladder模型的DNA的电子结构和输运性质 |
| 5.3.1 Ladder型DNA分子模型 |
| 5.3.2 Ladder型DNA分子电子输运性质 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 全文工作总结 |
| 6.1 本文主要研究工作及结论 |
| 6.2 有待进一步开展的工作 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 |
（8）DNA无序算法的改进及其应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 DNA简介 |
| 1.2 DNA分子的实验研究进展 |
| 1.3 DNA分子的理论研究方法 |
| 1.4 DNA分子的应用和研究意义 |
| 1.5 本课题的研究意义 |
| 第二章 DNA无序系统的研究方法 |
| 2.1 低维无序体系 |
| 2.2 并行架构及并行模型 |
| 2.3 本文的结构和主要研究内容 |
| 第三章 低维系统本征问题的快速求解方法 |
| 3.1 低维系统的紧束缚模型 |
| 3.2 本征值算法 |
| 3.2.1 负本征值理论 |
| 3.2.2 均分法 |
| 3.3 本征矢算法 |
| 3.3.1 无限阶微扰理论 |
| 3.3.2 综合算法 |
| 3.4 本征问题优化算法及精度控制 |
| 3.5 测试及对比 |
| 3.5.1 测试环境 |
| 3.5.2 各算法对比 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 多链结构对DNA电子结构性质的影响 |
| 4.1 模型 |
| 4.2 能带结构 |
| 4.2.1 双链和四链的DNA能带结构 |
| 4.2.2 带有磷酸糖骨架的DNA能带结构 |
| 4.3 DNA的电子结构 |
| 4.3.1 双链DNA的态密度 |
| 4.3.2 四链DNA的态密度 |
| 4.4 DNA骨架无序对DNA电子结构的影响 |
| 4.4.1 骨架格点能无序对态密度的影响 |
| 4.4.2 骨架跃迁积分无序对态密度的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 本文的主要研究工作和结论 |
| 5.2 有待进一步展开的工作 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 |
（9）一维关联无序系统中电子态的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 无序体系的基本思想 |
| 1.3 无序体系理论研究进展 |
| 1.4 无序体系电子态的常用测度 |
| 1.4.1 局域长度 |
| 1.4.2 Lyapunov 指数 |
| 1.4.3 并发纠缠 |
| 1.5 本文主要研究内容及研究意义 |
| 第二章 一维长程幂率关联无序体系的本征波函数和本征能量 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 模型和方法 |
| 2.3 不同关联指数情况下本征波函数的对比 |
| 2.4 不同态的本征能量 |
| 2.5 关联对本征能量的影响 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 并发纠缠 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 第一激发态的平均并发纠缠 |
| 3.3 第 2000 态的平均并发纠缠 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 DNA 分子链的并发纠缠 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 准周期模型的建立 |
| 4.3 准周期模型 1 和模型 2 的平均并发纠缠 |
| 4.4 准周期模型与位能随机分布模型的并发纠缠的对比 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 |
| 致谢 |
四、一维无序体系电子跳跃导电研究（论文参考文献）
- [1]金属（Sn、Ag、Cu）/碳纳米管复合粉体制备及其电子输运性能研究[D]. 王东星. 大连理工大学, 2019(01)
- [2]高温高压状态下氢与典型富氢化合物的电输运性质及其结构相变实验研究[D]. 汪贻高. 西南交通大学, 2019(03)
- [3]多层石墨烯体系量子输运特性的理论探究[D]. 王科. 中国科学技术大学, 2018(01)
- [4]Sn掺杂In2O3和In2O3薄膜的电子输运性质研究[D]. 张玉杰. 天津大学, 2015(08)
- [5]无序材料Anderson局域化研究的一些新进展[J]. 郭子政. 材料导报, 2012(S2)
- [6]块体、厚膜和薄膜NTC热敏电阻的制备与性能[D]. 何林. 华南理工大学, 2012(01)
- [7]一维及准一维无序体系电子输运性质研究[D]. 宋招权. 中南大学, 2011(12)
- [8]DNA无序算法的改进及其应用[D]. 郭锐. 中南大学, 2010(02)
- [9]一维关联无序系统中电子态的研究[D]. 安彩虹. 内蒙古师范大学, 2010(04)
- [10]DNA的电学性质与关联无序[A]. 韩汝珊,李铁军. 2007“与统计有关的凝聚态物理中一些数值计算问题”研讨会论文集, 2007