一、有机包覆改性SiC粉体表面结构与性质的表征（论文文献综述）
孙世超[1]（2020）在《超细碳化硅粉体表面改性及其浆料性能研究》文中研究说明重结晶碳化硅作为一种无机非金属材料,因其优异的强度、抗氧化性、高温机械性能和抗侵蚀能力受到广泛关注。而影响这些性能的关键为重结晶陶瓷的密度指标,然而国内生产的重结晶碳化硅制品在密度指标方面与国外产品仍存在一定差距,需要进一步改进制备工艺。其中,碳化硅在烧结过程中不存在收缩现象,故重结晶碳化硅制品的密度即由其素坯密度决定。而制备高密度碳化硅素坯工艺的关键在于得到高固相含量低粘度的改性碳化硅浆料。本文从研究传统改性剂和碳化硅粉体之间的相互作用入手,选择合适改性剂改性碳化硅粉体制得优质改性碳化硅浆料,进而制得高密度的碳化硅素坯和重结晶碳化硅陶瓷制品。实验结果表明:1.分别使用传统的离子型改性剂和硅烷偶联剂在水溶液中混合搅拌改性碳化硅粉体,结合实验现象并分析原因得出离子型改性剂易出现挤出现象,即附着于碳化硅表面的离子型改性剂在碱性环境中构象发生改变,导致改性剂脱附,离子型改性剂因较低的密度在浆料上层富集并带走部分浆料中的水分,从而导致浆料分层。另一方面,硅烷偶联剂在改性过程中出现自聚,导致浆料成胶。两者均无法应用于实际生产。2.基于对两种常用改性剂改性失效原因的分析,该部分联合使用离子型改性剂聚马来酸和硅烷偶联剂KH550以5:1比例改性碳化硅粉体。制得的改性碳化硅粉体配制体积固相含量为50%的浆料,其粘度达到0.099 Pa.s。粉体Zeta电位在pH=9时的最大绝对值从50mV提高至65 mV。使用热重,红外光谱和扫描电子显微镜验证了改性剂的成功接枝和吸附。但在注浆成型搅拌过程中,浆料出现挤出和自聚现象,浆料粘度上升至1 Pa.s以上,无法得到理想素坯。3.使用小分子有机物染料分散黑在水溶液中搅拌改性碳化硅粉体,使用改性得到的碳化硅粉体制备体积固相含量为50%的浆料,其粘度为0.430 Pa.s,且在注浆成型搅拌过程中不存在浆料挤出和自聚现象。制得的素坯密度达到2.43 g/cm3。通过紫外分光光度计分析了分散黑在碳化硅表面的吸附模式属于单层物理吸附。后续实验使用分散黑和海藻酸钠联合改性碳化硅粉体并通过加热搅拌实现化学连接,进一步提升浆料流动性。最终得到的碳化硅粉体制备体积固相含量50%的浆料粘度为0.170 Pa.s。且浆料不存在挤出和自聚现象。素坯密度达到2.62 g/cm3。
孙烨先[2]（2020）在《水溶性高分子改性超细碳化硅粉体及其分散性研究》文中研究表明碳化硅陶瓷是一种具有耐高温、抗辐射、高强度等优异性能的无机非金属材料,在机械、航天航空及建筑等领域被广泛应用。注浆成型法制备的重结晶碳化硅陶瓷密度高且粉体粒度分布均匀,但该方法对浆料有很高的要求,只有固相含量高且粘度低的浆料才能采用注浆成型。目前,采用我国生产的超细重结晶碳化硅粉体制备的浆料没有达到国外先进水平,因此需要对粉体进行表面改性从而提高其固相含量,降低粘度。本文选用预处理的聚丙烯酸、嵌段共聚物HY-2000和HY-168、聚丙烯酸钠作为改性剂,分别对碳化硅粉体表面进行处理,制备了三种不同pH值的改性粉体,具体研究结果如下:（1）以预处理后的聚丙烯酸为改性剂,通过搅拌加热法得到了 pH=6的碳化硅粉体。改性后其最大固相含量为61.2 Vol%,固相含量为50 Vol%时浆料粘度为0.438 Pa·s,且pH为6。预处理后的聚丙烯酸利用率提高至37%,这是由于分子链伸展的原因。预处理后的聚丙烯酸吸附在粉体表面不仅提高了改性SiC粉体的Zeta电位绝对值的最大值（63 mV）,而且改善了浆料的沉降稳定性,SiC浆料经过48 h达到沉降平衡,相对沉降高度为94.8%。此外颗粒中的团聚体明显减少,分散性显着提高。（2）以嵌段共聚物HY-2000和HY-168为改性剂,通过球磨法得到了 pH=7的碳化硅粉体。通过比较浆料的固相含量和粘度得出嵌段共聚物HY-2000改性的效果最佳,最大固相含量为62.59 Vol%,固相含量为50 Vol%时浆料粘度为0.80 Pa·s,浆料的pH为7.08。HY-168改性后的粉体仅依靠空间位阻作用进行分散,而HY-2000则是通过空间位阻与静电排斥协同作用进行分散。（3）以聚丙烯酸钠为改性剂,通过搅拌加热法得到pH=8的碳化硅粉体。得出聚丙烯酸钠改性工艺的最佳参数为:反应时间为4 h,聚丙烯酸钠的添加量为0.6 wt%,反应温度为90℃。聚丙烯酸钠改性SiC粉体后,其最大固相含量为65.8 Vol%,当固相含量为50 Vol%时浆料粘度为0.183 Pa·s。改性后浆料具有较好的沉降稳定性,在48 h后达到沉降平衡,相对沉降高度为96.3%。
高晓莹[3]（2020）在《碳化硅粉体表面极性调控与浆料性能研究》文中研究说明碳化硅（SiC）是一种新型无机陶瓷材料,具有强度高、耐磨、耐热震、抗腐蚀、抗氧化和成本低廉等优异的综合性能,因而在机械和化工等领域得到了广泛应用。制备高密度、孔径分布均匀的坯体是陶瓷生产过程中至关重要的环节,研究者曾进行大量的实验室研究和工艺探索。其中,胶态成型工艺是获得均匀致密、形状复杂陶瓷器件的代表性制备方法之一,此工艺的难点在于制备出高分散性、低粘度、高固相含量的SiC陶瓷浆料。碳化硅粉体表面能高,易在水相中团聚,分散性差,影响到后续烧结和坯体的性能。为解决这一难题,本文利用小分子有机物乙酸和乙醇对SiC粉体进行表面改性,通过表面极性的改变和空间位阻抑制颗粒间团聚;从粉体表面微观状态和化学性质入手,系统探究了杂质离子和SiO2表面氧化层对SiC浆料分散稳定性和流变性能的影响;探究了SiO2氧化层的调控与浆料流变性之间的关系。主要研究内容如下:1、乙醇、乙酸溶剂热处理对SiC浆料性能的影响:为改善大分子物质改性SiC粉体易自聚的缺点,实验采用小分子有机物乙醇、乙酸在120℃溶剂热条件下改性SiC粉体,探究小分子有机物改性对SiC浆料性能的影响。结果表明:乙酸在120℃溶剂热条件下改性SiC粉体可以有效提高SiC颗粒在水相中的分散性、稳定性和流变性能。乙酸相对牢固的吸附在SiC粉体表面,利用空间位阻和静电稳定效应的双重作用,提高了粉体表面的Zeta电位,增大双电层斥力,减少粉体间的团聚,提高了浆料的分散性和稳定性;乙酸改性后SiC粉体表面的硅羟基含量减少,由氢键束缚的结合水含量降低,浆料的流变性能得到了提高。2、SiC表面SiO2氧化层对浆料性能的影响:通过HCl酸洗去除杂质离子、HF刻蚀SiC表面的SiO2氧化层,以及煅烧生成新的氧化层等方法,利用ICP-AES、EDS、Zeta电位、粘度测定等表征手段,系统研究了表面氧化层和金属杂质离子对浆料性能的影响。实验结果表明,导致浆料分散稳定性和流变性能变差的主要原因并非SiC粉体表面的SiO2氧化层,而是存在于SiC表面或水相中的杂质离子。SiC表面氧化层在适量、且经过活化（煅烧）的情况下,对粉体表面性质和微观状态具有一定的调控作用,扩散双电层斥力增大,浆料分散性和流变性提高。适量的氧化层存在有利于改善浆料的性能,这为寻求新的氧化层活化方法提供了一定的理论依据。3、碱液处理对SiC表面氧化层的调控:利用碱与酸性SiO2氧化物反应的特点,探究活化SiC表面SiO2氧化层的新方法。实验采用不同强度的碱性溶液KOH、NaOH和Na2CO3处理SiC粉体,探究了碱液改性后SiC表面SiO2氧化层的微观变化对浆料性能的影响。实验结果表明,SiC表面适量SiO2氧化层（硅羟基）的存在有利于粉体的分散,碱性溶液可以调控SiC表面氧化层的含量,提高粉体浆料分散性、稳定性和流变性能。其中,Na2CO3水溶液的改性效果最好,性质温和的强碱弱酸盐Na2CO3可以轻微刻蚀SiC表面氧化层,微量调控SiO2氧化层的含量,从微观上活化SiC表面、改善粉体的表面性质,进而调控SiC水基悬浮液的静电稳定机制,最大程度地提高粉体浆料分散稳定性和流变性能,对制备高质量、结构致密且均匀的陶瓷制品具有重要意义。4、Na2CO3改性实验条件对SiC浆料性能的影响:从温度、时间、浓度等实验条件出发,采用控制变量法,探究Na2CO3改性SiC的最佳实验条件。实验结果表明,选用室温条件下0.1 mol/L的Na2CO3溶液改性SiC粉体30 min,可以达到最佳改性效果,极大地提高SiC浆料的分散稳定性和流变性能。利用低浓度的Na2CO3溶液实现了对SiC粉体表面SiO2氧化层的调控,节省了改性剂用量,减少能量消耗,对工业制备高性能的SiC浆料具有重要意义。
李飞[4]（2019）在《PLA/SiC复合材料制备及其3D打印成型工艺研究》文中研究指明3D打印快速成型技术作为一种高度灵活的技术正在迅速成为制造业采用的主流技术。PLA可作为3D打印耗材,但其力学,热学性能较差,而SiC粉体具有良好的力学性能、导热性能且在PLA基体中相容性、分散性和基体结合性好。PLA/SiC复合材料可满足3D打印成型对力学、热学性能。本课题以燃烧合成法制备了高质量β-SiC粉体,通过共混改性制备了不同SiC填充量的PLA/SiC复合材料,采用熔体微分3D打印机对PLA/SiC复合材料进行3D打印成型,并对打印制品的力学、热学等性能进行表征。主要研究内容和结论如下:1、采用氮气催化辅助燃烧合成法制备高质量微纳β-SiC粉体,研究反应原料、合成工艺等因素对产物β-SiC粉体的相组成、粒度、形貌等产生影响。实验表明,Si粉的粒径的减小以及对Si-C原料共混物进行研磨活化处理均可以提高反应速率,但对产物相、粒度等没有影响。并探明SiC的合成机制,即以炭黑颗粒作为生长位点,液态与气态Si通过扩散机制与炭黑反应最终生成β-SiC粉体。2、以SiC粉体作为填料,采用多重共混法对PLA基体进行共混改性,基本实现SiC粉体的均匀分散。研究不同含量的β-SiC对于PLA/SiC复合材料的晶体类型、结晶度、流变性能、热稳定性等影响,实验表明,SiC的添加,促进了 PLA的异相成核,提高了复合材料的结晶度,并在一定范围内,增加了复合材料的粘度,略微减弱了复合材料的热稳定性。同时硅烷偶联化处理的SiC粉体在PLA基体中获得更好的分散性。3、利用熔体微分3D打印机对PLA/SiC复合材料进行3D打印成型,研究3D打印过程中熔融温度、螺杆转速、三维平台运动速度等工艺参数对3D打印制品成型质量的影响。实验表明,熔融温度范围为210-220℃、螺杆转速为0.7r/mim左右、三维平台平均运动速度为2100mm/min左右时,可实现PLA/SiC复合材料的稳定3D打印成型。当SiC粉体的填充量为6-8wt%时,3D打印成型制品的力学和导热性能有较大的提升。
冯莹[5]（2019）在《SiC粉体表面的化学改性及成型后对坯体的影响》文中研究指明碳化硅（SiC）具备高温强度高、抗热震、硬度高、耐腐蚀等优点,在航空航天、电子、汽车、生物、能源、机械、化工等领域中有广泛的应用。高固相体积含量、低粘度及稳定分散的SiC浆料是获得高密度SiC制品的关键。本文以微米级的SiC粉体为原料,通过加入不同的表面活性剂对SiC原粉进行表面改性,之后将改性了的SiC粉体与d50=100 μm的SiC粗粉混合后加入去离子水机械搅拌制备成SiC浆料,通过注浆成型的方法获得SiC素坯。研究了改性剂的加入量、反应温度及反应时间对改性粉体的影响,成型后对素坯的密度和微观结构的影响,并进一步研究了改性机理。研究表明:以硅烷偶联剂KH560、聚乙二醇400（PEG400）和四甲基氢氧化铵（TMAH）为表面活性剂时,KH560、PEG400和TMAH的添加量分别为0.5 wt%、0.75 wt%、0.8 wt%时,反应温度为90℃,反应时间为3h时,由改性后粉体所制备的浆料粘度最低且浆料稳定。PEG的分子量对由改性后SiC粉体制备的浆料的粘度有一定的影响,当PEG的分子量为400时,浆料的粘度最低。改性后SiC粉体的pH值在9左右。当固相体积分数为50%时,浆料粘度为0.305 Pa·s;在pH为10时,改性后SiC的zeta电位绝对值最大为54.3 mV,比改性前提高了 7.0 mV;素坯密度达到2.538 g/cm3,素坯内部存在一定量的小气孔,并且出现了一定程度的层裂现象。以硅烷偶联剂KH560、腐植酸钠和十二烷基硫酸钠（SDS）为表面活性剂时,KH560、腐植酸钠和SDS的添加量分别为0.5 wt%、0.7 wt%、0.1 wt%时,反应温度为90℃,反应时间为2 h时,由改性后粉体制备的浆料粘度最低且浆料稳定。改性后SiC粉体的pH值在8左右。在该改性方案中,由于加入了 SDS,使得由改性后粉体所制备的浆料中存在一定量的气泡,实验过程中发现F-801消泡剂的效果明显优于NXZ消泡剂和DF-254消泡剂。当固相体积分数为50%时,浆料粘度为0.168 Pa·s;在pH为10时,改性后SiC的zeta电位绝对值最大为61.6 mV,比改性前提高了 14.3 mV;素坯密度达到2.643 g/cm3,素坯内部致密、均匀、有很少小气孔。以六亚甲基二异氰酸酯（HDI）、单宁酸和酪氨酸（Tyr）为表面活性剂时,HDI、单宁酸和Tyr的添加量分别为0.3 wt%、0.6 wt%、0.6 wt%时,反应温度为80℃,反应时间为1.5 h时,由改性后粉体所制备的浆料粘度最低且浆料稳定,改性后SiC粉体的pH值在5左右,当固相体积分数为50%时,浆料粘度为0.893 Pa·s;在pH为10时,改性后SiC的zeta电位绝对值最大为67.2 mV,比改性前提高了 19.9 mV;素坯密度达到2.585 g/cm3,素坯内部存在一定量的小气孔。
侯轩[6]（2018）在《超细改性SiC粉体的制备及性能研究》文中进行了进一步梳理SiC作为一种性能优异的非氧化物陶瓷材料有着广泛的应用价值,高固含量低粘度的SiC浆料是制备优异重结晶SiC陶瓷制品的前提。本文通过对FMT（国产）SiC和SGB（进口）SiC粉体性能的差异对比,SiC浆料稳定分散机理的探讨,对FMT SiC粉体进行接枝聚合包覆改性制得了性能较原始SiC粉有明显提升的改性SiC粉体。主要研究结论如下:1.FMT SiC粉体与SGB SiC粉体的表面性质及浆料性能都存在明显差距:两种粉体的粒径分布大体一致,分布在0.1～10 μm之间;FMT SiC粉体的颗粒形貌多为片状多面体,而SGB SiC粉体的颗粒较为规则均一。SGB SiC粉体的堆积密度为0.85 g/cm3大于FMT SiC粉体的堆积密度0.77g/cm3,SGBSiC粉体的接触角为14°,FMTSiC粉接触角为22°。在浆料固含量、分散性及流变特性方面,SGB SiC浆料的最大固含量为65%,远高于FMTSiC浆料的40%,同时体积固含量为10%条件下SGB SiC浆料24h沉降率为40%,FMT沉降率为100%。同一固含量条件下SGB SiC浆料比FMT SiC浆料粘度低,剪切速率为100s-1时,FMT SiC浆料粘度值为350mPa · s-1,SGB SiC浆料粘度值为16mPa ·s-1。2.采用球磨分散的方法制备了高固含量低粘度的SiC浆料。PVP、KH560、TMAH三种改性剂改性SiC粉最大体积固含量分别为46%,50%和58%,TMAH改性SiC粉浆料的Zeta电位值最大,为-34.7mv,体积固含量为10%条件下24h沉降率由原来的100减小至60%,分散稳定性最好。三种改性剂均可减小碳化硅粉体浆料粘度,TMAH改性SiC粉体浆料在相同体积固相含量同一剪切速率条件下的粘度值最低,在体积固含量为55%时,剪切速率为100s-1时,粘度值为1218mPa·s-1。3.采用接枝聚合包覆改性的方法对SiC粉体进行表面改性,制得了超细改性SiC粉体。探究了改性工艺的最佳工艺参数:第一步硅烷偶联剂预处理采用球磨方式,反应时间为2h,添加量为1%;第二步接枝聚合温度为90℃,聚合时间为4h,单体丙烯酰胺的用量为3%,引发剂过硫酸铵的用量为0.5%。聚丙烯酰胺在SiC表面的包覆率为2.6%。SiC粉体经改性后,中位径由1.21 μ m增至1.23 μ m,堆积密度由初始0.77g/cm3增至0.90g/cm3。改性后的SiC浆料最大固含量由原始的40%增大至55%,体积固含量10%条件下24h沉降率为39%,分散稳定性和流动性大大提升。改性后的SiC粉只是表面性质发生了改变,仍保有SiC的物相结构
王永明[7]（2017）在《SiC粉体表面改性与其在水中分散性能的研究》文中指出SiC是一种用途十分广泛的无机非金属材料,直接凝固注模成型是制备高性能SiC材料的最简捷有效的方法。该方法克服了以往热压成型工艺过程中耗能高、后期机加工复杂、成本昂贵等缺点,但直接凝固注模对SiC粉体浆料提出了苛刻的要求,要求Si C粉体浆料粘度低于1pa.s时,固相体积分数达到50vol%以上。目前国内工业产品高质量SiC水基浆料也远无法达到该性能指标。本文对SiC粉体通过酸碱溶液洗涤、加碱热处理、表面羟基接枝进行表面改性,通过测量改性后的SiC粉体表面Si-OH含量、表面元素变化及表面形貌变化,测量水基浆料粘度与固含量,以期制备高固含量低粘度的SiC水基浆料并探究其机理。1、首次使用卡尔-费休法测量SiC粉体表面的Si-OH含量。对比以往表面Si-OH测量方法,该方法RSD值仅为3.8%,其他方法一般超过5%。该方法具有精密度高,易克服外界干扰因素等优点,是测量粉体表面Si-OH的一种有效的方法。对平均粒径约为0.5μm的国产SiC粉体利用不同酸碱溶液进行表面清洗后,测量酸溶液处理导致Si C粉体表面硅羟基浓度增大,在2mol/L HCl处理后,羟基含量升至最高值0.18%,较原料含量上升28%。碱溶液处理导致SiC粉体表面羟基浓度降低,降低至0.11%,较原料含量下降约21%。表面元素分析显示,表面酸碱洗涤均会降低SiC粉体表面碳硅比。结果显示2mol/L HCl处理后变化最为明显,表面C元素含量下降29%,表面Si元素含量升高44.1%。表面碳硅比由原料的80.4/19.6变为57.34/42.66。固定固含量为10.7%,酸碱处理过SiC粉体浆料粘度均低于原料SiC粉体浆料粘度。在pH值约为8的环境中,NaOH处理过的SiC粉体浆料粘度最低为1.41mpa.s,远小于原料粉体浆料的粘度。结果显示酸碱处理均会改善SiC粉体水基浆料分散性。酸处理有效改善SiC粉体表面元素含量,利于SiC粉体浆料分散。碱处理有效减少SiC粉体表面羟基含量,从而提高SiC粉体浆料分散性。测量相同质量分数下的SiC浆料粘度来评价酸碱处理对SiC粉体浆料的影响,得出碱溶液处理最能导致SiC粉体分散性变优的结论。2、探究加碱加热处理Si C粉体表面改性效果的研究,固定SiC与NaOH质量比,结果显示改变加热温度会引起表面形貌变化,照片显示200-250℃会最显着引起SiC粉体颗粒棱角钝化。250℃下pH值约为13的溶液中分散性最好,质量分数为50%,粘度值仅为35.6mpa.s,而原料SiC粉体浆料粘度为905mpa.s。加热温度改变还会引起SiC粉体表面元素比变化,有效去除表面多余的C元素。改变加碱热处理表面改性碱浓度会引起SiC粉体表面O元素含量降低,SiC与NaOH质量比为1/0.5时,表面氧元素含量降至最低,约为1.08%,约降至原料水平的42%。SiC与NaOH质量比变化会引起表面羟基浓度变化,SiC与NaOH质量比为1/0.5时,SiC粉体表面硅羟基浓度降至0.05%,较原料下降约45%。加碱加热表面改性会显着影响SiC粉体表面羟基浓度,表面氧元素含量,表面碳硅比,最终通过加碱热处理改性,可有效改善SiC粉体浆料分散性。3、无水条件下对SiC粉体表面羟基与二元羧酸的反应进行表面接枝改性,通过原料SiC粉体和加碱加热改性后SiC粉体分别与乙二酸接枝,分别制备得到粘度1pa.s下,固含量分别为46vol%、41vol%的浆料。结果显示直接用原料接枝可以制备效果更好的浆料。对SiC粉体与乙二酸接枝制备得到粘度1pa.s,固含量达到46vol%的浆料。通过SiC粉体与丙二酸接枝制备得到粘度为1pa.s,固含量达到52vol%的浆料。通过对SiC粉体与丁二酸接枝制备得到粘度1pa.s,固含量达到45vol%的浆料。通过对SiC粉体与己二酸接枝制备得到粘度1pa.s,固含量达到46.2vol%的浆料。通过对SiC粉体与庚二酸接枝制备得到粘度1pa.s,固含量达到42vol%的浆料。通过对电位滴定法测量得到乙二酸、丙二酸、丁二酸、己二酸、庚二酸接枝率分别为9.11%,15.18%,5.49%,23.7%,14.58%,结合探究水基浆料在不同pH值水基分散介质中的pH值,评价得到改性后Si C粉体浆料流动性最佳者为接枝丙二酸,改性后粉体在TMAH调节pH=13分散介质中固相体积分数可达52vol%,已经初步可以达到注模成型的基本要求。本文通过电位滴定定量分析接枝率,接枝率数据的得出有力证明接枝反应的发生,同时从侧面验证了表面Si-OH的存在和表面Si-OH的反应活性。
郭洋[8]（2014）在《远红外锦纶6纤维的中试试验及新型添加剂的研究》文中认为锦纶6纤维由于在柔韧性、耐磨性、耐碱性、吸湿性、弹性回复性率、及轻量性等方面均优于聚酯等其它纤维,因此在高档内衣、丝袜、户外服装方面应用很多,开发具有保暖保健功能的远红外锦纶纤维,具有广阔的市场前景和巨大的应用价值。本论文采用市售Mg-Al LDHs作为中试试验原料,于500℃煅烧4h制备了Mg-Al复合金属氧化物（MMO）,并采用Si02纳米粒子及Zr02纳米晶粒与其进行复配,制备了新型远红外添加剂。重点针对远红外添加剂的加工工艺进行了深入研究。分别通过湿法加工工艺和干法加工工艺对Mg-Al MMO、SiO2纳米粒子及Zr02纳米晶粒复配后的混合粉体进行研磨混合并改性。通过两种不同的加工工艺获得了远红外添加剂。采用纳米粒度分析仪、视频光学接触角测量仪、EDS等,对混合研磨、改性后的粉体进行了表征。数据显示,经干法加工工艺制备的远红外粉体粒径主要分布在480nm左右,分布较窄；经湿法加工工艺加工的粉体粒径主要分布在300nm左右,分布窄。湿法加工工艺比干法加工工艺具有更好的混合均一度。粉体经表面改性后对水接触角分别为：湿法工艺63.9°、干法工艺54.8°。将两种工艺下的添加剂与锦纶6切片熔融共混造粒,在复合纺丝机上纺制了远红外纤维,并经热牵伸、加弹后织造了远红外袜筒织物。在3.3、3.5、3.7三个倍数下进行热牵伸后,湿法加工工艺下的远红外纤维较纯的锦纶6纤维断裂强度下降8.6-16.7%；干法加工工艺下的远红外纤维较纯的锦纶6纤维断裂强度下降14.3-25.0%。针对目前远红外纺织品性能测试中存在的问题,结合实际生产及测试中的经验,本论文提出了改进措施,构建了一种纺织品远红外测定装置。该装置结构简单、操作简便,而且精确、快速、便携,易于在生产上推广使用。将其用于中试试验中织造的远红外锦纶6袜筒织物红外温升性能测试,结果表明,远红外织物比纯的锦纶6织物温升速率高,并且在辐照6mmin后,织物温度高出2℃左右。为了进一步提高红外发射性能,本论文还对以纳米Ti02为主体,含有SiC纳米晶,并以Si02纳米粒子及Zr02纳米晶粒复配后的新型远红外添加剂进行了研究。以松油醇为溶剂,采用刮涂法制膜,运用自主搭建的红外温升性能测试装置进行了测试,发现含有SiC的粉体配方IRP-4(TiO2:SiO2:ZrO2:SiC=6:2:2:1和IRP-3（TiO2: SiO2:ZrO2:SiC=6:2:2:1）红外温升性能最优异,比其他配方高出5℃左右。运用湿法加工工艺对该复合粉体进行研磨混合改性后,经熔融共混、挤出造粒制备了远红外树脂,并经熔法纺丝制备了远红外添加剂含量分别为1wt.%和2wt.%的远红外纤维,纺丝过程稳定性和连续性良好,无飘丝、断丝现象。经复丝强度仪测试发现,3.3牵伸倍数下的纤维,添加剂含量为1wt.%和2wt.%的远红外纤维断裂强度比纯的锦纶6纤维分别提高了8.6%和5.7%。采用织袜机将得到的远红外纤维织造成织物,运用自主搭建的远红外温升性能测试平台对其进行了测试,结果表明含添加剂IRP-42wt.％和1wt.%的远红外纤维织物温升速率更快,辐照6min后,远红外织物温度分别高出纯的锦纶6织物3℃和2℃。
宋丽岑[9]（2014）在《高固含量低粘度碳化硅稳定浆料的制备及流变特性研究》文中研究指明表面处理或表面改性是提高碳化硅（SiC）粉体分散性能、制备高固相含量浆料的有效途径。本文从定量分析角度出发，采用电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）、总有机碳分析仪（TOC）等仪器定量评价SiC粉体洗涤处理效果及改性剂与SiC粉体表面的结合状况。探讨SiC粉体表面处理或表面改性与浆料流变性能之间的关系。主要研究工作如下：1.碳化硅粉体微观差异性及其浆料流变性质研究：选取国内外不同的SiC粉体，通过XRD、EDS、TEM和粒度分布等测试方法对其组成、晶型、粒度及表面性质进行了研究。两种粉体的化学组成，微观结构几乎一致。但浆料的流变性质却存在显着性的差异。用国外粉体可制备出固相含量高达55vol%的低粘度稳定浆料。而国产粉体可形成的最大固相含量浆料为40vol%，且出现剪切变稠现象。研究表明：粉体表面性质的微观差异性是导致浆料流变性质不同的主要原因。2.碳化硅粉体预处理对浆料流变性能的影响：采用ICP-AES测定了去离子水洗涤、酸洗和碱洗等SiC粉体预处理过程中金属离子的含量，研究了杂质离子对SiC浆料流变性能的影响。ICP-AES定量检测表明，采用不同酸碱溶液对SiC粉体洗涤后，粉体表面的杂质离子都相应减少，浆料的粘度不断降低，稳定性升高。其中1.0%的盐酸溶液去除SiC粉体表面杂质离子的效果最佳，浆料流变性能得到了显着改善。3.硅烷偶联剂对碳化硅表面改性：分别采用KH-550、KH-560、KH-570、甲基三甲氧基硅烷对1.0%盐酸处理后的SiC粉体进行表面改性，用总有机碳（TOC）测定洗涤液中有机物含量，研究硅烷偶联剂与SiC粉体表面的结合状况。结果表明：通过化学键合和吸附，硅烷偶联剂与SiC粉体表面结合牢固，提高了浆料的固相含量和稳定性，KH-560改性的效果最好。4.环境友好型改性剂对碳化硅表面改性：采用MA系列环境友好型改性剂，对SiC粉体表面进行改性，探讨其改性机理及对浆料流变性能的影响。使用1.0‰的改性剂，SiC浆料的固相含量提高至53vol%，浆料粘度降低，稳定性提高。TOC分析可知，MA101与SiC表面结合最为牢固。
李星,铁生年[10]（2011）在《半导体用高纯超细SiC粉体的表面改性》文中指出通过偶联剂预处理、接枝聚合丙烯酸钠两步法对SiC粉体进行表面改性,制备聚丙烯酸钠接枝改性SiC粉体,并对改性粉体进行表征,测试SiC粉体的zeta电位,讨论改性对SiC粉体料浆分散稳定性和流动性的影响。结果表明:SiC微粉经表面改性后并未改变原始SiC微粉的物相结构,只是改变其在水中的胶体性质;微粉团聚现象减少,分散性得到改善;改性SiC微粉与原始SiC微粉相比,表面特性发生很大变化,zeta电位值显着提高,悬浮液的分散稳定性得到明显改善,且黏度降低。
二、有机包覆改性SiC粉体表面结构与性质的表征（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、有机包覆改性SiC粉体表面结构与性质的表征（论文提纲范文）
（1）超细碳化硅粉体表面改性及其浆料性能研究（论文提纲范文）
| 学位论文数据集 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 重结晶碳化硅陶瓷简介 |
| 1.3 碳化硅陶瓷成型工艺研究进展 |
| 1.3.1 模压成型 |
| 1.3.2 等静压成型 |
| 1.3.3 注浆成型 |
| 1.3.4 凝胶注模成型 |
| 1.4 碳化硅粉体改性目的和机理 |
| 1.4.1 碳化硅粉体改性目的 |
| 1.4.2 碳化硅粉体改性机理 |
| 1.5 高分散碳化硅粉体改性工艺 |
| 1.5.1 碳化硅粉体物理改性工艺 |
| 1.5.2 碳化硅粉体化学改性工艺 |
| 1.6 碳化硅粉体常用改性剂种类 |
| 1.6.1 偶联剂类 |
| 1.6.2 表面活性剂 |
| 1.6.3 聚合物改性剂 |
| 1.7 改性碳化硅浆料粘度的影响因素 |
| 1.7.1 pH对碳化硅粉体的影响 |
| 1.7.2 pH对改性剂的影响 |
| 1.7.3 温度对改性碳化硅浆料粘度的影响 |
| 1.8 研究目的、意义和内容 |
| 1.8.1 研究目的和意义 |
| 1.8.2 本论文研究内容 |
| 第二章 实验 |
| 2.1 实验原料和仪器 |
| 2.1.1 超细碳化硅原粉 |
| 2.1.2 实验用试剂 |
| 2.1.3 主要用仪器 |
| 2.2 性能测试与表征 |
| 2.2.1 粉体的粒度分析 |
| 2.2.2 改性粉体Zeta电位测试 |
| 2.2.3 改性粉体配置的浆料粘度测试 |
| 2.2.4 改性粉体扫描电子显微镜测试 |
| 2.2.5 改性粉体的热重分析测试 |
| 2.2.6 改性粉体的红外光谱测试 |
| 2.2.7 改性粉体X-射线衍射仪测试 |
| 2.2.8 素坯密度测试 |
| 2.2.9 碳化硅粉体表面改性剂吸附量测试 |
| 第三章 聚马来酸/硅烷偶联剂改性超细碳化硅微粉 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验原理和过程 |
| 3.2.1 实验原理 |
| 3.2.2 实验过程 |
| 3.3 改性后粉体的表征和物理性能 |
| 3.3.1 SEM表征 |
| 3.3.2 TG表征 |
| 3.3.3 FT-IR和XRD表征 |
| 3.3.4 改性工艺条件对改性后碳化硅粉体影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 分散黑改性碳化硅粉体的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验原理和过程 |
| 4.2.1 实验原理 |
| 4.2.2 实验过程 |
| 4.3 改性碳化硅粉体的物理性能和表征 |
| 4.3.1 改性碳化硅粉体的物理性能 |
| 4.3.2 改性碳化硅粉体的表征 |
| 4.4 碳化硅粉体吸附分散黑的等温线、动力学及机理 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 分散黑/海藻酸钠改性超细碳化硅微粉 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验原理和过程 |
| 5.2.1 实验原理 |
| 5.2.2 实验过程 |
| 5.3 改性碳化硅粉体的物理性能和表征 |
| 5.3.1 改性粉体的物理性能 |
| 5.3.2 改性粉体的表征 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 研究成果和发表的学术论文 |
| 作者和导师简介 |
| 北京化工大学硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 |
（2）水溶性高分子改性超细碳化硅粉体及其分散性研究（论文提纲范文）
| 学位论文数据集 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 碳化硅概述 |
| 1.2.1 碳化硅物理性能 |
| 1.2.2 碳化硅化学性能 |
| 1.3 碳化硅陶瓷成型方法 |
| 1.3.1 模压成型 |
| 1.3.2 等静压成型 |
| 1.3.3 凝胶注模成型 |
| 1.3.4 注浆成型 |
| 1.4 SiC粉体团聚 |
| 1.4.1 软团聚 |
| 1.4.2 硬团聚 |
| 1.5 碳化硅粉体改性机理 |
| 1.5.1 静电稳定机制 |
| 1.5.2 空间位阻稳定机制 |
| 1.5.3 静电空间稳定机制 |
| 1.6 碳化硅粉体表面改性方法 |
| 1.6.1 碳化硅粉体颗粒表面物理改性 |
| 1.6.2 碳化硅粉体颗粒表面化学改性 |
| 1.7 碳化硅粉体表面改性剂 |
| 1.7.1 减水剂 |
| 1.7.2 偶联剂 |
| 1.7.3 分散剂 |
| 1.8 研究进展及意义 |
| 1.9 研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验原料及试剂 |
| 2.2 实验仪器 |
| 2.3 实验方案 |
| 2.3.1 弱酸性碳化硅粉体的制备 |
| 2.3.2 中性碳化硅粉体的制备 |
| 2.3.3 弱碱性碳化硅粉体的制备 |
| 2.4 测试方法 |
| 2.4.1 微观形貌测试 |
| 2.4.2 物相组成测试 |
| 2.4.3 红外光谱测试 |
| 2.4.4 固相含量测试 |
| 2.4.5 粘度测试 |
| 2.4.6 Zeta电位测试 |
| 2.4.7 沉降稳定性测试 |
| 2.4.8 TG测试 |
| 第三章 预处理聚丙烯酸改性制备弱酸性SiC粉体及浆料性能 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验结果与分析 |
| 3.2.1 改性前后SiC粉体物相组成分析 |
| 3.2.2 改性前后SiC粉体微观形貌分析 |
| 3.2.3 预处理聚丙烯酸改性工艺研究 |
| 3.2.4 改性前后SiC粉体的Zeta电位分析 |
| 3.2.5 改性前后SiC粉体的沉降稳定性分析 |
| 3.2.6 改性前后的SiC粉体热重分析 |
| 3.2.7 机理分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 嵌段共聚物改性制备中性SiC粉体及浆料性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验结果与分析 |
| 4.2.1 分散剂的红外光谱分析 |
| 4.2.2 分散剂HY2000改性工艺研究 |
| 4.2.3 分散剂HY168改性工艺研究 |
| 4.2.4 改性前后SiC粉体微观形貌分析 |
| 4.2.5 改性前后SiC粉体的Zeta电位分析 |
| 4.2.6 改性前后SiC粉体的沉降稳定性分析 |
| 4.2.7 机理分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 聚丙烯酸钠改性制备碱性SiC粉体及浆料性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验结果与分析 |
| 5.2.1 改性前后SiC粉体物相组成分析 |
| 5.2.2 改性前后SiC粉体微观形貌分析 |
| 5.2.3 减水剂聚丙烯酸钠改性工艺研究 |
| 5.2.4 改性前后SiC粉体的Zeta电位分析 |
| 5.2.5 改性前后SiC粉体的沉降稳定性分析 |
| 5.2.6 机理分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 硕士期间成果 |
| 致谢 |
| 作者及导师简介 |
| 硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 |
（3）碳化硅粉体表面极性调控与浆料性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 碳化硅简介 |
| 1.2 碳化硅的生产制备 |
| 1.2.1 碳化硅的合成方法 |
| 1.2.2 碳化硅的无压力烧结 |
| 1.3 碳化硅粉体的分散稳定机制 |
| 1.3.1 空间位阻稳定机制 |
| 1.3.2 静电稳定机制 |
| 1.3.3 静电位阻稳定机制 |
| 1.4 碳化硅粉体的表面改性 |
| 1.4.1 洗涤表面改性法 |
| 1.4.2 表面包覆改性法 |
| 1.4.3 分散剂改性法 |
| 1.5 选题依据及研究内容 |
| 2 乙醇、乙酸溶剂热处理对SiC浆料性能的影响 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验仪器和试剂 |
| 2.3 实验方法 |
| 2.3.1 粉体预处理实验 |
| 2.3.2 乙醇、乙酸溶剂热处理SiC粉体实验 |
| 2.4 实验表征 |
| 2.4.1 红外光谱FTIR分析 |
| 2.4.2 XRD物相分析 |
| 2.4.3 悬浮液Zeta电位测试 |
| 2.4.4 粒度分布测试 |
| 2.4.5 上清液总有机碳含量(TOC)的测定 |
| 2.4.6 粉体表面硅羟基含量的定性测定 |
| 2.4.7 SiC浆料流变性能测定 |
| 2.5 结果与讨论 |
| 2.5.1 红外光谱FTIR分析 |
| 2.5.2 XRD物相分析 |
| 2.5.3 悬浮液Zeta电位测试 |
| 2.5.4 粒度分布测试 |
| 2.5.5 上清液总有机碳含量(TOC)的测定 |
| 2.5.6 粉体表面硅羟基含量的定性测定 |
| 2.5.7 SiC浆料流变性能测定 |
| 2.6 小结 |
| 3 SiC表面SiO_2氧化层对浆料性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验仪器和试剂 |
| 3.3 实验方法 |
| 3.3.1 粉体预处理除杂实验 |
| 3.3.2 SiC表面氧化层的去除和生成实验 |
| 3.3.3 杂质离子的验证实验 |
| 3.4 实验表征 |
| 3.4.1 杂质离子分析 |
| 3.4.2 SiC粉体形貌分析 |
| 3.4.3 SiC粉体粒度分布测试 |
| 3.4.4 SiC粉体显微镜图像 |
| 3.4.5 红外光谱FTIR分析 |
| 3.4.6 悬浮液Zeta电位测试 |
| 3.4.7 SiC浆料流变性能测定 |
| 3.5 结果与讨论 |
| 3.5.1 杂质离子分析 |
| 3.5.2 SiC粉体形貌分析(TEM) |
| 3.5.3 SiC粉体粒度分布测试 |
| 3.5.4 SiC粉体显微镜图像 |
| 3.5.5 红外光谱FTIR分析 |
| 3.5.6 悬浮液Zeta电位测试 |
| 3.5.7 SiC浆料流变性能测定 |
| 3.6 小结 |
| 4 碱液处理对SiC表面氧化层的调控 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验仪器和试剂 |
| 4.3 实验方法 |
| 4.3.1 粉体预处理实验 |
| 4.3.2 碱洗改性处理SiC粉体实验 |
| 4.4 实验表征 |
| 4.4.1 红外光谱FTIR分析 |
| 4.4.2 XRD物相分析 |
| 4.4.3 悬浮液Zeta电位测试 |
| 4.4.4 粒度分布测试 |
| 4.4.5 SiC粉体形貌分析 |
| 4.4.6 粉体表面硅羟基含量的定性测定 |
| 4.4.7 ICP-AES离子含量分析 |
| 4.4.8 SiC粉体显微镜图像 |
| 4.4.9 SiC浆料的稳定性分析 |
| 4.4.10 SiC浆料流变性能测定 |
| 4.5 结果与讨论 |
| 4.5.1 红外光谱FTIR分析 |
| 4.5.2 XRD物相分析 |
| 4.5.3 悬浮液Zeta电位测试 |
| 4.5.4 粒度分布测试 |
| 4.5.5 SiC粉体形貌分析(TEM) |
| 4.5.6 粉体表面硅羟基含量的定性测定 |
| 4.5.7 ICP-AES离子含量分析 |
| 4.5.8 SiC粉体显微镜图像 |
| 4.5.9 SiC浆料的稳定性分析 |
| 4.5.10 SiC浆料流变性能测定 |
| 4.6 小结 |
| 5 Na_2CO_3改性实验条件对SiC浆料性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验仪器和试剂 |
| 5.3 实验方法 |
| 5.3.1 粉体预处理实验 |
| 5.3.2 Na_2CO_3改性处理SiC粉体实验 |
| 5.3.3 Na_2CO_3处理SiO_2粉体实验 |
| 5.4 实验表征 |
| 5.4.1 悬浮液Zeta电位测试 |
| 5.4.2 粒度分布测试 |
| 5.4.3 粉体表面硅羟基含量的定性测定 |
| 5.4.4 SiC浆料流变性能测定 |
| 5.4.5 SiO_2颗粒形貌分析 |
| 5.5 结果与讨论 |
| 5.5.1 悬浮液Zeta电位测试 |
| 5.5.2 粒度分布测试 |
| 5.5.3 粉体表面硅羟基含量的定性测定 |
| 5.5.4 SiC浆料流变性能测定 |
| 5.5.5 Na_2CO_3处理SiO_2粉体实验 |
| 5.6 小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
| 攻读学位期间完成的学术论文 |
| 攻读学位期间参与项目 |
（4）PLA/SiC复合材料制备及其3D打印成型工艺研究（论文提纲范文）
| 学位论文数据集 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 聚乳酸及其复合材料简介 |
| 1.2.1 聚乳酸简介 |
| 1.2.2 聚乳酸复合材料的制备 |
| 1.2.3 聚乳酸复合材料的应用 |
| 1.3 碳化硅简介 |
| 1.3.1 碳化硅结构与性能 |
| 1.3.2 碳化硅的制备方法 |
| 1.3.3 碳化硅的应用 |
| 1.4 3D打印技术的分类与应用 |
| 1.4.1 熔融沉积技术(FDM) |
| 1.4.2 立体光固化技术(SLA) |
| 1.4.3 选择性激光烧结技术(SLS) |
| 1.4.4 微滴喷射3D打印 |
| 1.4.5 熔体微分3D打印 |
| 1.5 本课题的研究背景与意义 |
| 1.6 本课题的研究内容 |
| 第二章 燃烧合成法制备β-SiC粉体及机理研究 |
| 2.1 实验部分 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 实验设备与仪器 |
| 2.1.3 实验方法 |
| 2.2 表征测试设备与方法 |
| 2.2.1 XRD表征 |
| 2.2.2 SEM表征 |
| 2.2.3 粒度测量 |
| 2.2.4 BET分析 |
| 2.2.5 XRF分析 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.3.1 Si粉粒度对燃烧合成法制备β-SiC粉体的影响 |
| 2.3.2 机械活化对燃烧合成法制备β-SiC粉体的影响 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 PLA/SiC复合材料制备与性能研究 |
| 3.1 实验部分 |
| 3.1.1 实验材料 |
| 3.1.2 实验设备与仪器 |
| 3.1.3 实验方法 |
| 3.2 表征测试设备与方法 |
| 3.2.1 XRD表征 |
| 3.2.2 SEM表征 |
| 3.2.3 粒度测量 |
| 3.2.4 BET分析 |
| 3.2.5 XRF分析 |
| 3.2.6 流变分析 |
| 3.2.7 DSC分析 |
| 3.2.8 TGA分析 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 共混工艺对β-SiC粉体在PLA基体中分散性的影响 |
| 3.3.1.1 “一次机械共混”对β-SiC粉体在PLA基体中分散性的影响 |
| 3.3.1.2 “二次剪切共混”对β-SiC粉体在PLA基体中分散性的影响 |
| 3.3.2 不同含量β-SiC对PLA/SiC复合材料的影响 |
| 3.3.2.1 β-SiC含量对PLA/SiC复合材料晶型的影响 |
| 3.3.2.2 β-SiC含量对PLA/SiC复合材料微观结构的影响 |
| 3.3.2.3 β-SiC含量对PLA/SiC复合材料流变性能的影响 |
| 3.3.2.4 β-SiC含量对PLA/SiC复合材料热稳定性能的影响 |
| 3.3.2.5 β-SiC含量对PLA/SiC复合材料结晶性能的影响 |
| 3.3.3 硅烷偶联化改性的β-SiC粉体对PLA/SiC复合材料的影响 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 PLA/SiC复合材料3D打印成型与性能表征 |
| 4.1 实验部分 |
| 4.1.1 实验材料 |
| 4.1.2 实验设备与仪器 |
| 4.1.3 实验方法 |
| 4.2 表征测试设备与方法 |
| 4.2.1 致密度测试 |
| 4.2.2 SEM表征 |
| 4.2.3 拉伸强度测试 |
| 4.2.4 弯曲强度测试 |
| 4.2.5 热导率测试 |
| 4.2.6 动态热机械性能测试 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 3D打印温度对成型质量的影响 |
| 4.3.2 螺杆转速对成型质量的影响 |
| 4.3.3 三维运动平台速度对成型质量的影响 |
| 4.3.4 3D打印制品力学性能表征 |
| 4.3.5 3D打印制品热学性能表征 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 研究成果及发表的学术论文 |
| 作者及导师简介 |
| 附件 |
（5）SiC粉体表面的化学改性及成型后对坯体的影响（论文提纲范文）
| 学位论文数据集 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 SiC的基本性质 |
| 1.1.1 抗氧化性 |
| 1.1.2 亲水性 |
| 1.1.3 热性能 |
| 1.1.4 力学性能 |
| 1.2 SiC的表面改性 |
| 1.2.1 SiC颗粒间的稳定分散机制 |
| 1.2.2 SiC表面改性方法 |
| 1.3 SiC粉体的成型方法 |
| 1.3.1 注浆成型 |
| 1.3.2 干压成型 |
| 1.3.3 等静压成型 |
| 1.3.4 塑性成形 |
| 1.4 SiC陶瓷烧结工艺 |
| 1.4.1 热压烧结 |
| 1.4.2 无压烧结 |
| 1.4.3 反应烧结 |
| 1.4.4 重结晶烧结 |
| 1.5 选题意义与研究内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 实验设计思路 |
| 1.5.3 研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验设备及仪器 |
| 2.3 实验方案 |
| 2.3.1 KH560-FEG400/TMAH共同改性SiC粉体的制备 |
| 2.3.2 KH560-sodium humate/SDS共同SiC粉体的制备 |
| 2.3.3 HDI-tannic acid/Tyr共同改性SiC粉体的制备 |
| 2.3.4 SiC的注浆成型 |
| 2.4 表征与测试方法 |
| 2.4.1 固含量的计算 |
| 2.4.2 pH值的测试 |
| 2.4.3 粘度的测试 |
| 2.4.4 红外光谱分析 |
| 2.4.5 Zeta电位测试 |
| 2.4.6 SiC素坯密度测试 |
| 2.4.7 SiC素坯相对密度的计算 |
| 2.4.8 SiC素坯显微结构的测试 |
| 第三章 KH560-FEG400/TMAH共同改性SiC粉体的制备及素坯性能研究 |
| 3.1 改性条件对SiC浆料粘度的影响 |
| 3.2 Zeta电位 |
| 3.3 改性机理 |
| 3.4 素坯的密度与形貌 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 KH560-sodium humate/SDS共同改性SiC粉体的制备及素坯性能研究 |
| 4.1 改性条件对SiC浆料粘度的影响 |
| 4.2 SiC粉体的形貌 |
| 4.3 Zeta电位 |
| 4.4 改性机理 |
| 4.5 消泡剂对素坯的密度与形貌的影响 |
| 4.6 素坯的密度与形貌 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 HDI-tannic acid/Tyr共同改性SiC粉体的制备及素坯性能研究 |
| 5.1 改性条件对SiC浆料粘度的影响 |
| 5.2 Zeta电位 |
| 5.3 改性机理 |
| 5.4 素坯的密度与形貌 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 研究成果及发表的学术论文 |
| 作者及导师简介 |
| 附件 |
（6）超细改性SiC粉体的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 学位论文数据集 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 SiC的物理结构 |
| 1.3 SiC的化学性质 |
| 1.3.1 二氧化硅氧化层的表面性质 |
| 1.3.2 二氧化硅层的溶解度 |
| 1.4 SiC粉体改性机理 |
| 1.5 SiC粉体物理改性方法 |
| 1.5.1 表面吸附改性 |
| 1.5.2 电磁波辐射改性 |
| 1.5.3 等离子体改性 |
| 1.6 化学改性方法 |
| 1.6.1 表面酸洗 |
| 1.6.2 表面吸附 |
| 1.6.3 表面包覆 |
| 1.7 SiC常用改性剂种类 |
| 1.7.1 偶联剂类 |
| 1.7.2 表面活性剂 |
| 1.7.3 聚合物改性剂 |
| 1.9 SiC粉体研究进展及现状 |
| 1.10 本文选题意义 |
| 1.11 SiC粉体改性思路 |
| 1.12 本文研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验仪器 |
| 2.3 改性SiC浆料的制备 |
| 2.4 接枝改性SiC粉体的制备 |
| 2.5 实验工艺条件 |
| 2.6 SiC浆料的制备 |
| 2.7 性能测试 |
| 2.7.1 粒度分析 |
| 2.7.2 堆积密度测试 |
| 2.7.3 电镜测试 |
| 2.7.4 润湿性的测定 |
| 2.7.5 最大固含量测试 |
| 2.7.6 流变性能测试 |
| 2.7.7 eta电位分析 |
| 2.7.8 浆料稳定性分析 |
| 第三章 FMT(国产) SiC与SGB(进口) SiC粉体表面性质及浆料的流变性差异 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验方案 |
| 3.2.1 实验原料及试剂 |
| 3.2.2 实验方法 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 粒度差异 |
| 3.3.2 堆积密度测试 |
| 3.3.3 电镜测试 |
| 3.3.4 接触角测试 |
| 3.3.5 最大固含量测试 |
| 3.3.6 粘度测试 |
| 3.3.7 分散稳定性测试 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 改性剂对SiC浆料分散性和流动性的影响 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验方案 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 不同改性剂改性碳化硅粉体制备浆料的最大体积固含量 |
| 4.3.2 改性剂对粉体颗粒分散性的影响 |
| 4.3.3 改性剂对碳化硅粉体浆料流变性能的影响 |
| 4.3.4 改性剂对碳化硅粉体浆料分散稳定性的影响 |
| 4.3.5 改性剂对碳化硅粉体浆料Zeta电位的影响 |
| 4.3.6 改性方式对SiC粉体最大固含量的影响 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 接枝聚合法改性SiC粉体的研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验方案 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 硅烷偶联剂预处理的参数优化 |
| 5.3.2 接枝聚合包覆工艺参数的优化 |
| 5.3.3 小结 |
| 5.4 改性SiC微粉的性能测试 |
| 5.4.1 SiC颗粒形貌 |
| 5.4.2 颗粒分散性 |
| 5.4.3 润湿性的测定 |
| 5.4.4 堆积密度的测定 |
| 5.4.5 粒度分布 |
| 5.4.6 热失重分析 |
| 5.4.7 改性后SiC表面官能团变化 |
| 5.4.8 改性后SiC表面原子结构变化 |
| 5.4.9 改性后SiC晶体结构 |
| 5.4.10 小结 |
| 5.5 改性SiC浆料的流变特性 |
| 5.5.1 Zeta电位测试 |
| 5.5.2 SiC浆料最大固含量的测定 |
| 5.5.3 沉降测试 |
| 5.5.4 流动性测试 |
| 5.5.5 改性前后SiC粉体浆料的流动性变化 |
| 5.5.6 小结 |
| 第六章 结论及展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间获得的成果 |
| 作者及导师简介 |
| 专业学位硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 |
（7）SiC粉体表面改性与其在水中分散性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 SiC简介 |
| 1.2 SiC粉体的制备及粉体性质 |
| 1.2.1 SiC粉体的制备 |
| 1.2.2 抗氧化性 |
| 1.2.3 耐蚀性（化学稳定性） |
| 1.2.4 力学性能 |
| 1.2.5 主要物理性质指标 |
| 1.3 陶瓷浆料胶态成型制备的研究现状 |
| 1.3.1 凝胶注模成型（Gel Casting） |
| 1.3.2 直接凝固注模成型（DirectCoagulation Casting) |
| 1.3.3 胶态振动注模成型（Colloidal Vibration Casting） |
| 1.4 SiC胶体分散稳定机制 |
| 1.4.1 静电稳定机制 |
| 1.4.2 空间位阻稳定机制 |
| 1.4.3 静电—空间位阻稳定作用机制 |
| 1.5 SiC粉体的表面改性方法 |
| 1.5.1 高能表面改性 |
| 1.5.2 表面酸洗碱洗 |
| 1.5.3 分散剂改性 |
| 1.5.4 表面包覆改性 |
| 1.6 本论文选题意义及研究内容 |
| 1.6.1 选题意义 |
| 1.6.2 本论文的主要研究内容 |
| 2 SiC粉体酸碱溶液处理及表面羟基浓度测定 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 仪器与试剂 |
| 2.2.2 精密度实验 |
| 2.2.3 酸碱处理改性 |
| 2.2.4 表面羟基含量分析 |
| 2.2.5 表面元素变化分析 |
| 2.2.6 不同pH值分散溶液对SiC粉体浆料粘度影响分析 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.3.1 精密度实验 |
| 2.3.2 酸碱处理后SiC粉体表面羟基含量变化分析 |
| 2.3.3 酸碱处理前后SiC粉体表面元素分析 |
| 2.3.4 酸碱处理过的SiC粉体在不同pH值TMAH溶液中的粘度 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 温度对SiC粉体加碱表面改性影响研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 仪器及药品 |
| 3.2.2 空白对照实验 |
| 3.2.3 SiC与NaOH质量比对SiC粉体加碱热处理表面性质影响 |
| 3.2.4 温度对SiC粉体加碱热处理表面改性影响 |
| 3.2.5 热处理时间对加碱热处理SiC粉体表面改性影响 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 对白对照实验结果与讨论 |
| 3.3.2 不同NaOH与SiC质量比对SiC粉体加碱热处理表面改性影响 |
| 3.3.3 加热温度对SiC粉体加碱热处理表面影响 |
| 3.3.4 加热时间对SiC粉体加碱热处理表面改性影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 SiC粉体表面接枝实验研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验药品与仪器 |
| 4.2.1 实验仪器及药品 |
| 4.2.2 乙二酸的表面接枝改性 |
| 4.2.3 丙二酸的表面接枝改性 |
| 4.2.4 丁二酸的表面接枝改性 |
| 4.2.5 己二酸的表面接枝改性 |
| 4.2.6 庚二酸的表面接枝改性 |
| 4.2.7 上述几种二酸接枝率分析 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 乙二酸的表面接枝改性 |
| 4.3.2 丙二酸的表面接枝改性 |
| 4.3.3 丁二酸的表面接枝改性 |
| 4.3.4 己二酸的表面接枝改性 |
| 4.3.5 庚二酸的表面接枝改性 |
| 4.3.6 短链二羧酸接枝率分析 |
| 4.4 实验小结 |
| 5 结论 |
| 参考文献 |
| 展望 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
| 攻读硕士学位期间发表论文目录 |
（8）远红外锦纶6纤维的中试试验及新型添加剂的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1. 前言 |
| 1.2. 服用功能性纤维的分类 |
| 1.2.1. 消光纤维 |
| 1.2.2. 阻燃纤维 |
| 1.2.3. 抗静电纤维 |
| 1.2.4. 抗菌纤维 |
| 1.2.5. 防紫外线纤维 |
| 1.2.6. 防辐射纤维 |
| 1.2.7. 降温散热纤维 |
| 1.2.8. 远红外纤维 |
| 1.3. 远红外纤维研究的发展及现状 |
| 1.3.1. 远红外纤维的作用原理 |
| 1.3.2. 远红外纤维的种类 |
| 1.3.3. 远红外纤维的制备 |
| 1.3.4. 远红外纤维的应用 |
| 1.4. 无机纳米粉体添加剂的加工方法 |
| 1.4.1. 湿法加工工艺 |
| 1.4.2. 干法加工工艺 |
| 1.5. 红外辐射性能的评价方法 |
| 1.5.1. 发射率法 |
| 1.5.2. 温升法 |
| 1.5.3. 人体试验法 |
| 1.6. 本课题研究的内容及意义 |
| 第二章 镁铝复合金属氧化物(MMO)基新型远红外添加剂中试工艺研究及远红外温升性能测试装置构建 |
| 2.1. 引言 |
| 2.2. 实验部分 |
| 2.2.1. 实验原料 |
| 2.2.2. Mg-Al LDHs的制备 |
| 2.2.3. Mg-Al MMO的制备 |
| 2.2.4. 远红外添加剂配方的设计及其有机改性 |
| 2.2.5. 远红外锦纶6树脂的制备 |
| 2.2.6. 远红外锦纶6纤维的制备 |
| 2.2.7. 远红外锦纶织物的制备 |
| 2.2.8. 远红外温升性能测试方法的建立 |
| 2.3. 样品表征 |
| 2.3.1. X射线粉晶衍射(XRD) |
| 2.3.2. 粉体粒度分析 |
| 2.3.3. 粉体EDS分析 |
| 2.3.4. 傅里叶红外光谱(FT-IR)分析 |
| 2.3.5. 粉体接触角测试 |
| 2.3.6. 热失重(TG)分析 |
| 2.3.7. 热性能(DSC)测试 |
| 2.3.8. 表面及截面SEM分析 |
| 2.3.9. 纤维力学性能分析 |
| 2.3.10. 织物红外辐射温升性能测试 |
| 2.4. 结果与讨论 |
| 2.4.1. LDHs及MMO的XRD分析 |
| 2.4.2. 粒度大小及分布 |
| 2.4.3. 粉体EDS分析 |
| 2.4.4. 傅里叶红外光谱(FT-IR)分析 |
| 2.4.5. 远红外粉体的亲疏水性 |
| 2.4.6. 热失重(TG)分析 |
| 2.4.7. 热熔融性质分析 |
| 2.4.8. 树脂及纤维的形貌分析 |
| 2.3.9. 纤维力学性能分析 |
| 2.4.10. 织物红外辐射温升性能分析 |
| 2.5. 本章小结 |
| 第三章 TIO_2基新型远红外添加剂的制备及其性能研究 |
| 3.1. 引言 |
| 3.2. 实验部分 |
| 3.2.1. 实验原料 |
| 3.2.2. 新型远红外添加剂配方设计 |
| 3.2.3. 新型远红外添加剂的红外辐射温升性能研究 |
| 3.2.4. 新型远红外添加剂有机改性 |
| 3.2.5. 新型远红外锦纶6树脂的制备 |
| 3.2.6. 远红外锦纶6纤维的制备 |
| 3.2.7. 新型远红外锦纶织物的制备及其红外辐射性能研究 |
| 3.3. 样品表征 |
| 3.3.1. 不同组分远红外粉体的发射率测试 |
| 3.3.2. 不同组分远红外粉体的红外温升性能测试 |
| 3.3.3. 粒度分析 |
| 3.3.4. 傅里叶红外光谱(FT-IR)分析 |
| 3.3.5. 粉体接触角测试 |
| 3.3.6. 热失重(TG)测试 |
| 3.3.7. 热性能(DSC)测试 |
| 3.3.8. 表面及截面SEM分析 |
| 3.3.9. 纤维力学性能测试 |
| 3.3.10. 织物红外辐射温升性能测试 |
| 3.4. 结果与讨论 |
| 3.4.1. 不同组分远红外添加剂的发射率分析 |
| 3.4.2. 不同组分远红外添加剂的红外温升性能分析 |
| 3.4.3. 粒度大小及分布 |
| 3.4.4. 红外光谱(FT-IR)分析 |
| 3.4.5. 粉体接触角分析 |
| 3.4.6. 热失重(TG)分析 |
| 3.4.7. 热熔融性质分析 |
| 3.4.8. 远红外树脂及纤维形貌分析 |
| 3.4.9. 纤维力学性能分析 |
| 3.4.10. 织物红外辐射温升性能分析 |
| 3.5. 本章小结 |
| 第四章 全文总结及展望 |
| 参考文献 |
| 硕士期间所撰写的论文及申请的专利 |
| 致谢 |
（9）高固含量低粘度碳化硅稳定浆料的制备及流变特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 碳化硅粉体表面改性机理 |
| 1.3 陶瓷粉体的表面改性 |
| 1.4 国内外的研究现状 |
| 1.5 本论文的选题意义及研究内容 |
| 2 碳化硅粉体的微观差异性及其浆料的流变性质 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验 |
| 2.2.1 原料及试剂 |
| 2.2.2 实验过程 |
| 2.3 性能表征 |
| 2.3.1 粒度分布 |
| 2.3.2 物相分析（XRD） |
| 2.3.3 表面形貌及元素分析 |
| 2.3.4 分子结构分析（FTIR） |
| 2.3.5 SiC 颗粒形貌分析 (TEM) |
| 2.3.6 粘度分析 |
| 2.3.7 浆料稳定性分析 |
| 2.4 结果与讨论 |
| 2.4.1 粉体物相分析 |
| 2.4.2 粉体形貌表征 |
| 2.4.3 粉体表面元素分析 |
| 2.4.4 粉体粒径分析 |
| 2.4.5 浆料的分散稳定性 |
| 2.4.6 结合水分析 |
| 2.4.7 浆料的流变特性 |
| 2.5 小结 |
| 3 粉体预处理对碳化硅浆料流变性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 实验原料及试剂 |
| 3.2.2 碳化硅粉体预处理 |
| 3.2.3 碳化硅悬浮液的制备 |
| 3.2.4 流变性能测试 |
| 3.3 性能表征 |
| 3.3.1 物相分析（XRD） |
| 3.3.2 SiC 颗粒形貌分析（TEM） |
| 3.3.3 杂质离子含量分析（ICP） |
| 3.3.4 粘度分析 |
| 3.4.5 浆料稳定性分析 |
| 3.4 结果与讨论 |
| 3.4.1 表面洗涤对 SiC 粉体表面性质的影响 |
| 3.4.2 表面洗涤对 SiC 浆料流动性的影响 |
| 3.4.3 表面洗涤对 SiC 浆料稳定性的影响 |
| 3.4.4 煅烧对 SiC 浆料流变性及稳定性的影响 |
| 3.5 小结 |
| 4 硅烷偶联剂对 SiC 表面改性及浆料流变性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.2.1 原料及试剂 |
| 4.2.2 实验方法 |
| 4.3 性能测试 |
| 4.3.1 物相分析（XRD） |
| 4.3.2 分子结构分析（FTIR） |
| 4.3.3 改性剂与 SiC 表面结合稳定性分析（TOC） |
| 4.3.4 粘度分析 |
| 4.3.5 浆料稳定性分析 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 改性 SiC 微粉的物相分析 |
| 4.4.2 改性 SiC 微粉的表面结构分析 |
| 4.4.3 改性对 SiC 粉体表面润湿性的影响 |
| 4.4.4 表面改性对 SiC 微粉固相体积含量的影响 |
| 4.4.5 表面改性对 SiC 浆料粘度的影响 |
| 4.4.6 表面改性对 SiC 浆料分散稳定性的影响 |
| 4.4.7 硅烷偶联剂与 SiC 表面结合牢固性分析 |
| 4.4.8 不同添加量的 KH-560 对 SiC 浆料流变性及稳定性的影响 |
| 4.5 小结 |
| 5 环境友好型改性剂对 SiC 表面改性及浆料流变性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验 |
| 5.2.1 实验原料及试剂 |
| 5.2.2 实验步骤 |
| 5.2.3 碳化硅悬浮液的制备 |
| 5.2.4 流变性能测试 |
| 5.3 性能及表征 |
| 5.3.1 分子结构分析 |
| 5.3.2 粘度分析 |
| 5.3.3 改性剂与 SiC 表面结合稳定性分析 |
| 5.3.4 浆料稳定性分析 |
| 5.4 结果讨论 |
| 5.4.1 改性 SiC 微粉的表面结构分析 |
| 5.4.2 表面改性对 SiC 浆料粘度的影响 |
| 5.4.3 表面改性对 SiC 浆料稳定性的影响 |
| 5.4.4 改性剂与 SiC 表面结合牢固性分析 |
| 5.4.5 不同添加量的 MA101 对 SiC 浆料流变性及稳定性的影响 |
| 5.5 小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间完成的学术论文 |
| 攻读硕士学位期间参与项目 |
（10）半导体用高纯超细SiC粉体的表面改性（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1.1 原料和仪器 |
| 1.2 试验方法 |
| 1.3 分析方法 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 表面改性对SiC粉体表面特性的影响 |
| 2.2 改性前后SiC粉体的粒度分析 |
| 2.3 pH值对SiC粉体悬浮液zeta电位的影响 |
| 2.3.1 聚合单体用量对SiC粉体zeta电位的影响 |
| 2.3.2 改性工艺对SiC粉体zeta电位的影响 |
| 2.4 pH值对SiC粉体分散稳定性的影响 |
| 2.5 改性前后SiC料浆的流动性 |
| 2.5.1 pH值对SiC浆料黏度的影响 |
| 2.5.2 固相含量对SiC浆料黏度的影响 |
| 2.6 表面改性机理 |
| 3 结论 |
四、有机包覆改性SiC粉体表面结构与性质的表征（论文参考文献）
- [1]超细碳化硅粉体表面改性及其浆料性能研究[D]. 孙世超. 北京化工大学, 2020(02)
- [2]水溶性高分子改性超细碳化硅粉体及其分散性研究[D]. 孙烨先. 北京化工大学, 2020(02)
- [3]碳化硅粉体表面极性调控与浆料性能研究[D]. 高晓莹. 烟台大学, 2020(02)
- [4]PLA/SiC复合材料制备及其3D打印成型工艺研究[D]. 李飞. 北京化工大学, 2019(06)
- [5]SiC粉体表面的化学改性及成型后对坯体的影响[D]. 冯莹. 北京化工大学, 2019(06)
- [6]超细改性SiC粉体的制备及性能研究[D]. 侯轩. 北京化工大学, 2018(01)
- [7]SiC粉体表面改性与其在水中分散性能的研究[D]. 王永明. 烟台大学, 2017(02)
- [8]远红外锦纶6纤维的中试试验及新型添加剂的研究[D]. 郭洋. 东华大学, 2014(09)
- [9]高固含量低粘度碳化硅稳定浆料的制备及流变特性研究[D]. 宋丽岑. 烟台大学, 2014(01)
- [10]半导体用高纯超细SiC粉体的表面改性[J]. 李星,铁生年. 中国粉体技术, 2011(03)