一、浅谈电位移矢量与自由电荷束缚电荷的关系（论文文献综述）
赵淼[1]（2020）在《基于电-热耦合模型的复合材料雷击防护优化》文中研究表明现代民航飞机设计广泛采用复合材料结构,但较之金属结构,其导电性差,在雷电环境下极易遭受雷击,导致结构破坏,给飞行安全带来严重威胁。本文采用理论分析和数值计算相结合的方法,对复合材料雷击防护系统的烧蚀损伤特征和防护性能进行了深入研究。基于麦克斯韦电荷守恒方程和能量守恒原理,通过引入参数“电位移矢量”和“金属的传热系数”,得到复合材料雷击防护的电—热耦合控制方程和能量平衡数学模型。在理论分析基础上,分别建立了全喷铝、局部喷铝和铜网防护的复合材料层合板雷击烧蚀损伤三维有限元模型,利用ABAQUS软件进行数值模拟,计算结果与文献实验结果吻合较好,进而分析得出防护层厚度和雷击电流等参数对层合板烧蚀损伤面积和损伤特征的影响规律。最后,建立了复合材料雷击防护协同优化模型,对雷击损伤面积、防护层质量和防护层烧蚀速率进行协同优化,采用遗传算法寻找最优解,收敛效果良好。研究结果对国产民机L/HIRF维修任务的选择与维修间隔的确定分析有一定的参考价值。
于万里[2]（2020）在《考虑邻近效应的空间弯曲线束电磁辐射快速计算方法研究》文中研究指明线缆是电气电子设备产生电磁辐射的主要来源。因此,研究线缆电磁辐射问题对于电气电子设备和系统达到电磁兼容要求来说具有重要意义。在实际工程中,线缆常常捆扎成线束进行布线,由此产生的邻近效应不能忽视。且线束多呈现空间弯曲的形式,现有的解析方法无法解决此类问题,数值方法又太过费时费力。因此,本文开展了考虑邻近效应的空间弯曲线束电磁辐射快速计算方法研究,主要工作内容如下:（1）考虑邻近效应的线束分布参数矩阵的计算方法研究。对两种情况下考虑邻近效应的单位长度电容矩阵和电感矩阵的计算方法进行了推导。结合矩量法和广义电容矩阵对以一根传输线为参考导体情况下的计算方法进行了推导,结合矩量法和镜像理论对以无限大理想导电平面为参考导体情况下的计算方法进行了推导。分情况研究了矩量法中匹配点的选取原则,并对其进行了改进。而且用数值仿真验证了本文改进的方法的正确性,同时说明了它的快速性。（2）空间弯曲线束电流计算方法研究。将邻近效应对电流的影响体现在了单位长度分布参数的计算上,将空间弯曲线束等效成多段平直线束的级联,并用每一段平直线束的链参数矩阵表征它们,最后将每一段线束串联起来再结合终端约束条件求出线束上的电流。用数值仿真验证了本文方法的正确性,同时针对验证用的线束模型研究了线束离地高度、线缆绝缘层厚度与导线半径的比例以及线缆的数量这些因素对线束电流幅值的影响。（3）空间弯曲线束辐射电场快速计算方法研究。将每一根线缆上每一段电流当成一个赫兹电偶极子,将线缆两端接地部分也等效成赫兹电偶极子,用它们的镜像代替无限大理想导电平面,用所有赫兹电偶极子产生的辐射场的总和来近似空间弯曲线束的辐射场。分别用数值仿真和实验验证了本文方法的正确性,通过本文方法和数值仿真的时效性对比,说明了本文方法的快速性。最后针对数值仿真验证时用的线束模型,研究分析了线束离地高度、线缆绝缘层厚度与导线半径的比例以及线缆的数量这些因素对线束电场幅值的影响。
翟宾[3]（2020）在《PEEK材料介电特性及其影响因素研究》文中提出高压大功率压接型IGBT（Insulated Gate Bipolar Transisitor,绝缘栅双极型晶体管）器件是全控型的功率半导体器件,具有功率密度大、可靠性高及易于串联等优点,是制造各类柔性高压直流输电装备的核心器件。在压接型IGBT器件自主研发的过程中,其电气绝缘性能将是最关键的挑战之一。目前一种研发中的压接型IGBT内子模组采用了聚醚醚酮PEEK（Polyetheretherketone）作为绝缘框架的材料,PEEK材料在实际运行中承受电热复合应力的作用,在此复杂工况下PEEK材料的介电特性将直接影响子模组整体的电场分布,从而影响压接型IGBT子模组的绝缘可靠性。首先,研究了频率对PEEK材料介电特性的影响。搭建了满足压接型IGBT器件绝缘框架应用工况的PEEK材料介电特性频域测试平台,在10-2Hz～106Hz的频率范围内对PEEK材料介电特性进行了测试,在宽频介电谱测量结果的基础上,对PEEK材料宽频介电响应行为进行了机理分析,采用Cole-Cole模型建立了可以准确描述PEEK材料宽频介电响应行为的介电驰豫模型。其次,研究了电场强度对PEEK材料介电特性的影响。研制了满足压接型IGBT器件绝缘框架应用工况的PEEK材料介电特性时域测试平台,可在10MV/m～70MV/m的电场强度范围内对PEEK材料介电特性进行测试。实验获得了不同电场强度下PEEK材料的时域介电特性,建立了 PEEK材料的介电特性及直流电导率和电场强度的关系,给出了 PEEK材料直流电导率与电场强度之间的经验模型。最后,研究了温度对PEEK材料介电特性的影响。分别在频域介电特性以及时域介电特性平台中引入温度模块,测试了电热复合应力下PEEK材料的介电特性。结合 DSC（Differential Scanning calorimeter）的测试结果,分析了温度对 PEEK 材料宽频介电特性的影响规律,以及高场强下温度对PEEK材料低频介电特性与直流电导率的影响。
郭泉[4]（2019）在《“光学厚”材料的太赫兹时域光谱研究》文中进行了进一步梳理目前5G通信已经开始商用,同时人们也开始部署6G通信的蓝图。6G通信频段已经到达太赫兹被段,这就需要人们清楚地了解物质在太赫兹波段的光谱响应特性。过去二十多年,利用太赫兹时域光谱技术,人们已经清楚许多材料在太赫兹波段的线性光谱特性。然而反射式太赫兹时域光谱技术中的“位置误差”问题却限制了“光学厚”材料（例如高介电陶瓷）在太赫兹波段的研究。同时,强太赫兹源的缺乏也限制了材料的太赫兹非线性光谱研究。因此,本文重点研究了“光学厚”材料的太赫兹线性光谱测量和材料在强太赫兹波下的非线性光谱特性,初步解决了“光学厚”材料在太赫兹时域光谱测量中的问题,并研究了几种材料在500 kV/cm的强太赫兹场下的响应特性。本文主要研究内容如下:（1）研究了反射式太赫兹时域光谱技术中所存在的“位置误差”问题,详细分析了对反射式太赫兹时域光谱测量结果有影响的因素,并提出了基于解析延拓的相位修正方法,将修正后的“位置误差”减小到了 0.1μm的量级;研究了不同极化程度PMN-PT对于太赫兹波的响应,反映了材料中铁电畴结构的大小;研究了微波段高介电低损耗材料Sn1-x（Zn1/3+Nb2/3）xO2在太赫兹波段的介电特性,发现了其中存在至少两种Debye弛豫机制。（2）设计了同时偏振测量的太赫兹时域光谱椭偏仪系统。该系统有效的压制了激光器的共模噪声,将可靠的谱范围扩展到了光电导天线太赫兹源动态范围较低的低频和高频波段,同时避免了反射式太赫兹时域光谱中的“位置误差”问题,提高了实验效率。在校准方法中,我们用金属镜的反射获得了系统的响应函数,从而成功准确的获得了样品的复折射率,这个校准方法对于元件质量有着很高的容错度。（3）设计搭建了基于铌酸锂倾斜波前的强太赫兹系统并研究了几种材料在强太赫兹电场下的响应特性。我们详细对比研究了所搭建强太赫兹系统中太赫兹脉冲能量、光束形状和焦点光斑等参数,标定的太赫兹脉冲峰值电场强度高达500 kV/cm,分析了影响太赫兹辐射强度的因素,并提出了进一步增强辐射强度的方案。然后研究了强太赫兹电场下石墨烯、Pb（Zr,Ti）O3铁电薄膜、z-cut和x-cut铌酸锂晶体的响应特性,并对实验现象进行了初步解释。
阮浩鸥[5]（2019）在《纳米Al2O3与TiO2及其氟化处理对环氧树脂表面绝缘特性的影响》文中指出环氧树脂（EP）纳米复合材料具有优异的热、力、电学性能,被广泛应用于电力系统的内外绝缘中。纳米填料的掺杂能提高绝缘件的耐受性能,但迄今为止尚未有完备理论可用于解释纳米填料在掺杂过程中对复合材料绝缘性能的影响规律,故有必要对此问题展开深入研究,同时也有必要研制更高性能的绝缘材料。本文首先选用纳米Al2O3和纳米Ti O2对环氧树脂进行掺杂改性,并采用低温大气压等离子体氟化的方法对填料进行预处理,得到含氟填料颗粒进而制备出氟化改性复合材料。采用扫描电子显微镜（SEM）、背散射电子能谱（EDS）、X射线衍射（XRD）、傅里叶红外光谱（FT-IR）和光电子能谱（XPS）对改性前后的填料及复合材料进行表征,分析了氟化改性的反应原理。然后,对掺杂及氟化掺杂改性前后的复合材料进行了介电常数测试,分析了不同填料的掺杂浓度、颗粒粒径和氟化预处理方法对复合材料介电常数的影响,结合多核模型相关概念对其进行了阐释;采用有限元方法建立了两相复合体系的简易介电模型,对各因素对介电常数的影响作出解释。继而,对样片组进行了电荷消散能力的测试,分析了各因素对复合材料电荷消散的影响。基于ISPD方法计算了各复合材料样品的陷阱分布情况,从微观角度出发对氟化、掺杂改性原理进行了合理解释;采用有限元方法对直流场中Ti O2/EP复合材料的表面电荷行为进行了仿真,从宏观角度解释了材料的介电、导电参数对表面绝缘特性的影响。最后,对掺杂及氟化掺杂改性前后的复合材料进行了闪络电压测试,分析了不同填料的掺杂浓度、颗粒粒径和氟化预处理方法对其闪络电压的影响。
许洋[6]（2019）在《经典场论若干问题的研究》文中指出在这篇论文中,主要研究了经典场论中对称性,经典电磁理论中的介质效应,广义相对论的基本原理和引力波探测等内容。在经典场论中,分析了洛伦兹协变性的意义以及具体案例,计算说明了n阶反对称张量和度规张量的协变性。并根据电动力学的具体例子,说明协变性对理论的指导作用。在经典电磁理论中,介质存在时麦克斯韦方程组的协变性不明确,具体表现为本构关系是分量形式而不是协变形式。研究了历史上对介质存在时麦克斯韦方程组的形式,利用空间求和方法给出了介质非相对论运动情况下的麦克斯韦方程组。当介质做相对论运动时,利用协变性的方法,给出了麦克斯韦方程组在介质存在时的协变形式和波动方程。从波动方程中得到的光速公式满足洛伦兹速度叠加公式。在广义相对论中,研究了广义相对论的基础内容,包括等效原理,广义协变性原理以及爱因斯坦场方程的检验。提出了一种处理介质理论的新方法,并将介质理论推广到了引力理论中,得到了修改过的爱因斯坦场方程。回答了光速与引力波波速是否相等这一问题。在引力波的探测中,根据固有间隔与坐标间隔的关系,分析了 LIGO测量引力波的原理,指出其中可能存在的问题。也提出一种测量高频引力波的方法。
周朝彪[7]（2019）在《全介质微纳结构中Fano共振现象及其应用研究》文中提出Fano共振是一种特殊的物理现象,最早发现于原子物理,它由离散态与连续态耦合形成,其共振谱线呈非对称分布。近些年,人们发现Fano共振也广泛存在于微纳光子器件中,由于尖锐的谱特征和显着的近场增强,Fano共振在光开关、光传感、纳米激光、非线性光学和慢光等领域有巨大的应用前景。早期微纳器件中的Fano共振通常在金属结构中实现,由于金、银等金属材料不可忽略的热损耗且与成熟的CMOS工艺不兼容,限制了它在微纳光子学中的应用。最近,人们发现高折射率的锗、硅和砷化镓等全介质微纳器件可以解决金属结构存在的问题,从而为高性能、小型化和高集成度光子器件的实现提供新的道路。基于此,本文在理论和实验上研究了全介质微纳结构中高品质因子（Q）Fano共振的特性,同时也探索了Fano共振的可调性和它在非线性中的应用。主要研究成果如下:（1）在全介质超表面中实现了高Q值的Fano共振,并利用它增强了硅三次谐波（THG）的转换。首先,对高对称性纳米圆柱引入对称性破缺,激发了对称保护型连续域的束缚态（BIC）模式,在实验上获得了高Q值（1000）的Fano共振。其主要原因是所设计的微纳器件具有较大的工艺容差。通过对共振模式的近场分布和多极子的远场辐射贡献进行分析,证实了此Fano共振属于磁偶极子共振。同时,我们应用这一共振腔器件在非线性领域展开应用,与相同厚度硅薄膜的THG强度相比,支持Fano共振的超表面的THG信号增强了约600倍,其主要原因是高Q值Fano共振带来了极大的局域场增强。（2）理论和实验研究了Fano共振的可调性。首先探索了光子晶体平板结构参数对Fano共振峰位和强度的影响,随后在器件表面转移石墨烯,研究了不同层数石墨烯对Fano共振的调控,随着石墨烯层数的增加,吸收增强,石墨烯对Fano共振的调控增强。在三层石墨烯情况下,Fano共振的透过率调制深度在理论和实验上分别达到了60%和44%。另外,我们也理论研究了不同费米能级的石墨烯对Fano共振的调控,石墨烯的泡利阻塞原理使得不同费米能级石墨烯的光吸收差异较大,因此能对Fano共振进行显着调控。在费米能级为零时,Fano共振的透过率调制深度达到了40%。（3）理论和实验研究了硅光子晶体平板中环形偶极子（Toroidal dipole）的Fano共振。首先通过打破结构的对称性,激发了器件的非简并模式,从而在近红外波段实现了多个尖锐的Fano共振。随后,通过多极子分解理论计算分析了多极子极矩的大小和它们的远场辐射,同时也模拟讨论了共振模式的近场分布,证明了光子晶体平板器件存在丰富的环形偶极子共振。其实验结果与理论符合较好。
袁春琪[8]（2019）在《壁电荷对平板介质阻挡放电特性的影响》文中研究说明本工作从理论上研究了壁电荷对介质阻挡放电中电场强度的影响,并由此解释了壁电荷记忆效应对放电时间特性的影响。利用数值计算方法建立了Voigt线型宽度与洛仑兹线型宽度、高斯线型宽度关系的经验公式,并以此线型宽度经验公式为基础,建立了由实验获得的光谱线型宽度得到洛仑兹和高斯宽度的计算方案,以一组线型函数为例验证了我们计算方案的可靠性。利用镀金膜-玻璃、玻璃-玻璃两种双水电极的介质阻挡放电装置,研究了大气压Ar气放电功率及光谱的高斯线型宽度随驱动电压变化的规律。结果表明,两种电极情况下放电电流、光信号、放电功率均随电压的升高而增大,随着电压的增大,镀金膜-玻璃电极,高斯线型宽度先增大后减小,玻璃-玻璃电极,高斯线型宽度是逐渐减小最后趋于稳定。
向泰[9]（2018）在《颗粒填充复合材料静态电磁特性的理论研究》文中认为人类社会面临着严重的能源危机以及传统能源带来的环境问题。研究先进的电能和磁能存储技术来实现能量的节约和可持续使用具有重要的理论研究意义和实用价值。介电储能技术在现代能源领域中具有广泛的应用需求和市场应用前景,已成为诸多储能技术研究中的热点问题之一,介电储能复合材料的研究和制造是介电储能的核心技术之一。复合材料等效电磁参数是复合材料分析和设计中的重要物性参数,因此,对颗粒填充复合材料等效电磁参数开展理论研究对工程应用具有理论指导意义。论文的主要研究工作如下:（1）从球形颗粒填充复合材料的微观结构出发,对颗粒填充复合材料进行物理建模,获得了静态场条件下颗粒填充多元（多相）复合材料的电磁场方程;综合分析了颗粒填充复合材料电磁方程的求解方法、等效电磁参数计算方法,分析讨论了球形颗粒填充复合材料模型的填充相颗粒半径、颗粒间距与填充相体积比率的关系,获得球形颗粒均匀填充的两相复合材料最大体积填充率。（2）对于球形颗粒填充两相复合材料,提出利用分离变量法求解Laplace方程,获得了静电场模型条件下两相复合材料中电场强度的理论解;分别基于平均场法和平均能量法,获得了球形颗粒填充两相复合材料等效介电常数的理论表达式,并将这两种方法的理论计算结果与文献报道的4种颗粒填充复合材料的实验测量数据、部分具有较高计算精度的其它理论公式的计算结果进行了比较,结果表明:本文基于平均能量法所获的颗粒填充复合材料等效介电常数理论公式的计算结果比其它理论公式的计算结果更接近实验测量值,与实验测量值的吻合度最高,平均能量法所获得的等效介电常数理论公式可用于预测复合材料的等效介电常数,指导复合材料的设计与制造。利用获得的等效介电常数理论公式分析了填充相颗粒介电常数、体积比对复合材料等效介电常数和储能性能的影响,结果表明:一方面,当填充相的介电常数增大到某一阈值后,复合材料的电能储能密度趋于相对稳定,几乎不再随着填充相介电常数的变化而变化;另一方面,等效介电常数适中的某些复合材料具有更高的电能储能密度。（3）对于含界面相的球形颗粒填充（三相）复合材料,提出利用分离变量法求解Laplace方程,获得了静电场模型条件下各组分中电场强度的理论解;分别基于平均场法和平均能量法,获得了含界面相的球形颗粒填充（三相）复合材料等效介电常数的理论表达式,并通过与文献报道的实验测量数据的比较验证平均能量法所获的含界面相的颗粒填充（三相）复合材料等效介电常数理论公式的正确性、准确性和有效性。利用所获得的理论公式,分析了金属纳米颗粒的尺寸效应及界面相对复合材料等效介电常数和电能储能性能的影响,计算结果与实验结果相吻合,展示了本文所获得的颗粒填充三相复合材料等效介电常数理论计算公式的优异性。（4）对于球形颗粒填充两相复合磁性材料,提出利用分离变量法求解Laplce方程,获得了静磁场模型条件下两相复合材料中磁场强度的理论解;分别基于平均场法和平均能量法,获得了球形颗粒填充两相复合磁性材料等效磁导率的理论表达式,并将两种方法的理论结果与文献报道的实验测量数据、部分具有较高计算精度的理论公式的计算结果进行了比较,验证了本文所提出和建立的颗粒填充两相复合磁性材料物理模型的正确性和平均能量法所获的等效磁导率理论计算公式的准确性和有效性,分析了填充相颗粒磁导率和体积比对复合材料等效磁导率和磁能储能性能的影响。在体积比一定的条件下,通过提高填充相的磁导率的方式,并不一定能够制作出具有高磁能储能密度的复合材料,等效磁导率适中的复合材料具有较高的磁能储能密度。如果填充相颗粒为超导颗粒,复合材料的磁能储能密度将会比基体相介质的磁能储能密度更低,填充超导颗粒不能提高复合材料的磁能储能密度。（5）对于含界面相的球形颗粒填充（三相）磁性复合材料,利用分离变量法获得了静磁场模型条件下各组分中磁场强度的理论解;分别基于平均场法和平均能量法,获得了含界面相的球形颗粒填充（三相）复合磁性材料等效磁导率的理论表达式。运用所获得的理论公式,讨论了填充相纳米颗粒尺寸效应及界面相对复合材料等效磁导率及磁能储能性能的影响、极端情况下纳米颗粒界面相对复合材料等效磁导率的影响、超导纳米颗粒对复合材料等效磁导率的影响。
纪昌银[10]（2016）在《基于半经典理论的量子等离激元特性研究》文中提出表面等离激元是由被牢固的束缚在金属和介质分界面处的导带电子与光子相互作用产生的一种倏逝波电磁模式。表面等离激元可以把电磁波限制在亚波长范围内,并伴随着巨大的场增强。这种独特的光学现象在许多方面有着巨大的应用价值,例如:表面拉曼增强,克服衍射极限,非线性光学,生物医学,信息处理,传感等。表面等离激元的理论研究主要利用经典的麦克斯韦理论。金属的光学响应主要基于局域的Drude-Lorentz体材料色散模型来描述,这种简单的理论描述能够很好的解释实验现象。但是,对于小尺寸的金属纳米结构,电子的量子特性开始调制其集体响应行为。因此,经典理论在解释小尺寸的金属纳米结构的光学性质时遇到了巨大的挑战,不得不考虑电子的量子效应所产生的影响。电子的量子效应主要表现在两个方面:非局域光学响应和电子溢出（隧穿）。电子量子效应的理论描述主要有全量子方法的含时密度泛函（TD-DFT）和半经典的流体动力学理论（HT）。HT能够处理大且复杂的结构,并且计算量上也明显小于TD-DFT,因此获得了广泛关注。由于HT在数值计算上具有巨大的优势,因此本文利用HT研究了电子的量子特性对于金属纳米结构光学性质的影响,研究内容如下:（1）通过单个纳米线、纳米线二聚体、单个纳米线-半无限大介质这三种纳米结构研究了非局域光学响应和电子溢出对于光学性质的影响,比较了流体动力学Drude模型（HDM）、广义非局域光响应模型（GNOR）、量子流体动力学理论（QHT）和局域Drude模型相互间的差异。（2）推导出了QHT下金属中储存的电磁场能量。（3）推导出了频域下的非线性GNOR模型的表达形式,并初步研究了量子压力对流和电荷扩散效应对于非线性表面等离激元的影响。（4）研究了不同的交换关联势对于纳米二聚体光学性质的影响。（5）改进了HDM和GNOR模型方程:直接求解电荷密度和等价的边界条件。
二、浅谈电位移矢量与自由电荷束缚电荷的关系（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、浅谈电位移矢量与自由电荷束缚电荷的关系（论文提纲范文）
（1）基于电-热耦合模型的复合材料雷击防护优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 复合材料雷击研究现状 |
| 1.2.1 雷击防护方法 |
| 1.2.2 雷击防护研究现状 |
| 1.3 本文研究内容 |
| 第二章 复合材料雷击防护理论模型 |
| 2.1 雷击防护的电热耦合控制平衡方程 |
| 2.2 雷击防护的能量平衡方程 |
| 2.3 雷击防护的电热耦合边界条件 |
| 2.4 雷击防护的电-热耦合有限元分析模型 |
| 2.4.1 雷击损伤分析方法 |
| 2.4.2 雷击电流载荷 |
| 2.4.3 材料属性 |
| 2.4.4 单元类型和边界条件 |
| 2.5 雷击防护电-热耦合模型有效性验证 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 不同防护系统的雷击防护性能分析 |
| 3.1 防护系统烧蚀机理 |
| 3.2 全喷铝防护系统 |
| 3.2.1 不同厚度铝涂层的影响 |
| 3.2.2 不同峰值电流的影响 |
| 3.3 局部喷铝防护系统 |
| 3.3.1 不同厚度铝涂层的影响 |
| 3.3.2 不同峰值电流的影响 |
| 3.4 铜网防护系统 |
| 3.4.1 铜网厚度的影响 |
| 3.4.2 不同峰值电流的影响 |
| 3.4.3 铜网铺设密度的影响 |
| 3.5 不同防护系统对比分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 复合材料雷击防护协同优化模型 |
| 4.1 多级优化算法 |
| 4.2 协同优化模型建立及求解 |
| 4.2.1 设计向量 |
| 4.2.2 目标函数 |
| 4.2.3 约束条件 |
| 4.2.4 模型建立 |
| 4.2.5 遗传算法求解 |
| 4.3 全喷铝防护系统优化 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（2）考虑邻近效应的空间弯曲线束电磁辐射快速计算方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 线缆电磁辐射计算研究现状 |
| 1.2.2 非均匀传输线理论研究现状 |
| 1.2.3 线束电磁干扰计算研究现状 |
| 1.3 本文的主要研究内容及创新点 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 创新点 |
| 1.4 本文的结构安排 |
| 第二章 考虑邻近效应的线束分布参数矩阵的计算方法研究 |
| 2.1 无耗多导体传输线单位长度分布参数矩阵 |
| 2.1.1 单位长度电感矩阵与电容矩阵的关系 |
| 2.2 考虑邻近效应的单位长度电容矩阵的计算方法推导 |
| 2.2.1 以一根传输线为参考导体的情况 |
| 2.2.2 以无限大理想导电平面为参考导体的情况 |
| 2.3 匹配点选取原则 |
| 2.3.1 没有绝缘层的情况 |
| 2.3.2 有绝缘层的情况 |
| 2.4 数值仿真验证分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 空间弯曲线束电流计算方法研究 |
| 3.1 无耗多导体传输线频域微分方程组的求解 |
| 3.1.1 相似变换解耦 |
| 3.1.2 链参数矩阵 |
| 3.2 空间弯曲线束电流计算方法推导 |
| 3.3 数值仿真验证分析 |
| 3.3.1 分段数对电流计算结果的影响 |
| 3.4 相关因素对电流幅值结果的影响分析 |
| 3.4.1 线束离地高度 |
| 3.4.2 线缆绝缘层厚度与导线半径的比例 |
| 3.4.3 线缆的数量 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 空间弯曲线束辐射电场快速计算方法研究 |
| 4.1 赫兹电偶极子模型分析 |
| 4.2 空间弯曲线束辐射电场的计算方法推导 |
| 4.3 方法验证与分析 |
| 4.3.1 数值仿真验证与分析 |
| 4.3.2 实验验证与分析 |
| 4.4 相关因素对辐射电场幅值结果的影响分析 |
| 4.4.1 线束离地高度 |
| 4.4.2 线缆绝缘层厚度与导线半径的比例 |
| 4.4.3 线缆的数量 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（3）PEEK材料介电特性及其影响因素研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 选题背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 PEEK材料的理化特性 |
| 1.2.2 电介质介电特性测试方法研究现状 |
| 1.2.3 PEEK材料介电特性的研究现状 |
| 1.3 本文的主要研究内容 |
| 第2章 PEEK材料频域介电特性测试及分析 |
| 2.1 PEEK材料内部的极化 |
| 2.2 PEEK材料的频域介电特性测试平台 |
| 2.2.1 PEEK材料试品预处理 |
| 2.2.2 PEEK材料宽频介电特性测试平台 |
| 2.3 PEEK材料的频域介电特性测试结果及分析 |
| 2.3.1 PEEK材料的宽频介电谱测试结果 |
| 2.3.2 电介质的介电响应模型 |
| 2.3.3 PEEK材料的介电驰豫模型及其参数提取 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 PEEK材料时域介电特性测试及分析 |
| 3.1 PEEK材料的时域介电特性 |
| 3.1.1 PEEK材料内的极化过程分析 |
| 3.1.2 PEEK材料内部极化强度的时域动态特性 |
| 3.1.3 PEEK材料内部时域动态电流 |
| 3.2 PEEK材料的时域介电特性测试平台 |
| 3.2.1 被测试品的设计 |
| 3.2.2 PEEK材料介电特性测试平台 |
| 3.3 PEEK材料的时域介电特性测试结果 |
| 3.3.1 PEEK材料预处理及环境噪声分析 |
| 3.3.2 PEEK材料的时域介电特性测试结果 |
| 3.4 电场强度对PEEK材料时域介电特性的影响 |
| 3.4.1 电场强度对PEEK材料直流电导率的影响 |
| 3.4.2 电场强度对PEEK材料空间电荷型驰豫的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 温度对PEEK材料介电特性的影响 |
| 4.1 温度对PEEK材料频域介电特性的影响 |
| 4.1.1 不同温度下频域介电特性测试结果 |
| 4.1.2 PEEK材料的热分析 |
| 4.1.3 温度对直流电导率的影响 |
| 4.1.4 温度对空间电荷型极化驰豫的影响 |
| 4.1.5 温度对偶极子取向极化驰豫的影响 |
| 4.1.6 温度对高频介电常数的影响 |
| 4.2 温度对PEEK材料时域介电特性的影响 |
| 4.2.1 不同温度下时域介电特性测试结果 |
| 4.2.2 高场强下温度对直流电导率的影响 |
| 4.2.3 高场强下温度对空间电荷型驰豫的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（4）“光学厚”材料的太赫兹时域光谱研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 研究背景及理论基础 |
| 1.1 太赫兹时域光谱技术 |
| 1.1.1 傅里叶变换与介电常数形式的选择 |
| 1.2 电磁波与物质的相互作用 |
| 1.3 弱电磁场下的物质响应 |
| 1.3.1 弱电磁场下的束缚电荷响应 |
| 1.3.2 弱电磁场下自由电荷响应 |
| 1.3.3 导电薄膜光学参数的提取方法 |
| 1.4 强电磁场下的物质响应 |
| 1.4.1 强太赫兹波作用下的束缚电荷响应 |
| 1.4.2 强太赫兹波作用下的自由电荷响应 |
| 1.5 本文的主要内容 |
| 第二章 反射式太赫兹时域光谱的实验研究 |
| 2.1 为什么要采用反射光谱法 |
| 2.2 几种不同的反射谱测量方式 |
| 2.3 太赫兹时域反射光谱的解析解 |
| 2.3.1 非正入射的解 |
| 2.3.2 正入射的解 |
| 2.4 实验结果精度与准度的影响因素 |
| 2.4.1 测量数据的精度(Precision)和准度(Accuracy) |
| 2.4.2 系统光路的校准对于数据准度的影响 |
| 2.5 反射式THz-TDS的相位修正方法 |
| 2.5.1 利用P偏振或S偏振反射系数的修正方法 |
| 2.5.2 样品紧贴法 |
| 2.5.3 太赫兹与探测光共线传播法 |
| 2.5.4 透射谱修正反射谱 |
| 2.5.5 基于Kramers–Kronig关系的相位修正方法 |
| 2.6 基于解析延拓的可靠的相位修正方法 |
| 2.6.1 实验中位置误差的量级 |
| 2.6.2 有限频段下SSKK方法对于几种模型的修正结果 |
| 2.6.3 基于解析延拓的相位修正方法 |
| 2.6.4 实验结果与讨论 |
| 2.7 两种高介电材料的反射式太赫兹时域光谱测量 |
| 2.7.1 不同极化程度PMN-PT单晶的太赫兹时域反射光谱研究 |
| 2.7.2 (?)的反射谱测量与讨论 |
| 2.8 本章小结 |
| 第三章 太赫兹时域光谱椭偏仪 |
| 3.1 椭偏仪的基本理论 |
| 3.2 太赫兹时域光谱椭偏仪的初探 |
| 3.2.1 太赫兹时域光谱椭偏仪中的线性相位误差与避免方法 |
| 3.2.2 椭偏仪中入射角的选择 |
| 3.3 同时偏振测量的太赫兹时域光谱椭偏仪 |
| 3.3.1 实验系统 |
| 3.3.2 同时偏振测量的方法 |
| 3.3.3 数据处理方法 |
| 3.3.4 高掺杂硅的介电常数测量与结果讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于倾斜波前的强太赫兹辐射系统搭建 |
| 4.1 基础理论 |
| 4.1.1 倾斜波前技术中泵浦光入射角的计算 |
| 4.1.2 铌酸锂晶体切割角度的计算 |
| 4.1.3 实验光路图与具体参数 |
| 4.1.4 实验系统的优化 |
| 4.2 泵浦光束的性质 |
| 4.2.1 进入晶体前的泵浦光性质 |
| 4.2.2 从晶体内散射出的泵浦光谱 |
| 4.3 太赫兹脉冲能量的测量 |
| 4.3.1 太赫兹能量探测器 |
| 4.3.2 太赫兹波段的衰减元件及其衰减特性 |
| 4.3.3 太赫兹脉冲能量的测量 |
| 4.3.4 太赫兹辐射能量与泵浦光强的依赖关系 |
| 4.4 晶体后太赫兹光束发散角与光斑形状测量 |
| 4.5 太赫兹焦斑尺寸及峰值电场的测量 |
| 4.5.1 太赫兹时域波形与频谱 |
| 4.5.2 太赫兹焦点尺寸测量——刀片法和太赫兹相机测量 |
| 4.5.3 太赫兹脉冲电场的测量 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 强太赫兹脉冲电场下的物质响应 |
| 5.1 太赫兹电场下石墨烯中的电子响应 |
| 5.1.1 弱太赫兹场下石墨烯的物质参数 |
| 5.1.2 强太赫兹场作用下的“漂白”效应 |
| 5.2 强太赫兹电场下铁电Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的极化动力学研究 |
| 5.2.1 实验光路 |
| 5.2.2 实验结果与讨论 |
| 5.3 LiNbO_3晶体中的声子激元动力学研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
| 附录 A 幅度误差与相位误差的关系 |
| 附录 B 透射式和反射式THz-TDS的复折射率误差推导 |
| 附录 C 硅表面产生太赫兹与二次谐波的研究 |
| C.1 实验系统 |
| C.2 结果与讨论 |
（5）纳米Al2O3与TiO2及其氟化处理对环氧树脂表面绝缘特性的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 EP等离子体改性与氟化工艺 |
| 1.2.2 EP表面绝缘特性 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 第2章 纳米Al_2O_3与TiO_2的氟化及表征 |
| 2.1 等离子体氟化平台的搭建 |
| 2.2 Al_2O_3/EP与TiO_2/EP的制备 |
| 2.3 填料及复合材料的表征 |
| 2.3.1 Al_2O_3/EP的表征 |
| 2.3.2 TiO_2/EP的表征 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 纳米Al_2O_3、TiO_2及其氟化处理对EP介电常数的影响 |
| 3.1 Al_2O_3与TiO_2对EP介电常数的影响 |
| 3.1.1 Al_2O_3粒径与浓度对EP介电常数的影响 |
| 3.1.2 TiO_2粒径与浓度对EP介电常数的影响 |
| 3.2 氟化对EP介电常数的影响 |
| 3.2.1 氟化Al_2O_3对EP介电常数的影响 |
| 3.2.2 氟化TiO_2对EP介电常数的影响 |
| 3.3 基于COMSOL的填料浓度与介电常数关联关系的仿真研究 |
| 3.3.1 介电常数的计算方法 |
| 3.3.2 模型搭建与结果分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 纳米Al_2O_3、TiO_2及其氟化处理对EP表面电荷消散特性的影响 |
| 4.1 纳米Al_2O_3与TiO_2对EP表面电荷特性的影响 |
| 4.1.1 Al_2O_3粒径与浓度对EP表面电荷特性的影响 |
| 4.1.2 TiO_2粒径与浓度对EP表面电荷特性的影响 |
| 4.2 氟化对EP表面电荷特性的影响 |
| 4.2.1 氟化Al_2O_3对EP表面电荷特性的影响 |
| 4.2.2 氟化TiO_2对EP表面电荷特性的影响 |
| 4.3 Al_2O_3/EP与TiO_2/EP的表层电子陷阱分布 |
| 4.4 基于COMSOL的材料介电电导与电荷关联关系的仿真研究 |
| 4.4.1 模型搭建 |
| 4.4.2 计算结果与分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 纳米Al_2O_3、与TiO_2及其氟化处理对EP闪络电压的影响 |
| 5.1 纳米Al_2O_3与TiO_2对EP闪络电压的影响 |
| 5.1.1 Al_2O_3粒径与浓度对EP闪络电压的影响 |
| 5.1.2 TiO_2粒径与浓度对EP闪络电压的影响 |
| 5.2 氟化对EP闪络电压的影响 |
| 5.2.1 氟化Al_2O_3对EP闪络电压的影响 |
| 5.2.2 氟化TiO_2对EP大气闪络电压的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 主要结论 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研工作 |
| 致谢 |
（6）经典场论若干问题的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 缩略词列表 |
| 第1章 引言 |
| 第2章 协变性在场论中应用 |
| 2.0. 引言 |
| 2.1 两个协变性案例分析 |
| 2.1.1 电磁场协变性质补充 |
| 2.1.2 n阶反对称张量的协变性 |
| 2.2 物理公式的协变性 |
| 第3章 运动介质中协变的电磁理论 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 非相对论情况下的介质效应 |
| 3.3 介质电磁理论的协变形式 |
| 第4章 广义相对论与引力波 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 等效原理、广义相对性原理和光速不变原理 |
| 4.2.1 坐标系与时空观 |
| 4.3 相对论引力论及其检验 |
| 4.3.1 引力场方程 |
| 4.3.2 施瓦兹度规、广义相对论的检验 |
| 4.3.3 光线偏折 |
| 4.3.4 引力红移 |
| 4.4 时空对称性与罗宾逊-沃克几何 |
| 4.5 处理介质背景的方法 |
| 4.5.1 引力波介质理论 |
| 第5章 引力波背景下的激光干涉仪原理 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 时空度规和引力波 |
| 5.3 弯曲时空中的干涉原理 |
| 5.4 与LIGO实验的对比 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（7）全介质微纳结构中Fano共振现象及其应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微纳结构中的Fano共振特性与研究现状 |
| 1.3 基本电磁源和它们的辐射特性 |
| 1.4 本文的研究内容及章节安排 |
| 2 数值计算方法、微纳制造和线性透射谱测试 |
| 2.1 数值计算方法 |
| 2.2 微纳制造简介 |
| 2.3 线性透射谱测试系统 |
| 2.4 小结 |
| 3 全介质超表面中的Fano共振增强光学三倍频 |
| 3.1 光学非线性基本原理 |
| 3.2 光学三倍频的物理过程 |
| 3.3 微纳结构中三倍频的研究现状 |
| 3.4 高Q值 Fano共振的非对称硅超表面增强THG |
| 3.5 本章小结 |
| 4 石墨烯对Fano共振的调控 |
| 4.1 石墨烯的光电特性 |
| 4.2 石墨烯对微纳共振腔的调控研究现状 |
| 4.3 石墨烯对光子晶体平板中Fano共振的调控 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 非对称光子晶体平板中的环形偶极子Fano共振 |
| 5.1 环形偶极子共振的激发与研究现状 |
| 5.2 非对称光子晶体平板的多个环形偶极子Fano共振特性研究 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 研究内容总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 |
| 附录2 论文中缩略词的含义 |
（8）壁电荷对平板介质阻挡放电特性的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 等离子体概述 |
| 1.2 介质阻挡放电概述 |
| 1.3 平板介质阻挡放电国内外研究现状 |
| 1.4 本文主要研究内容安排 |
| 第2章 实验装置 |
| 2.1 等离子射流实验装置图 |
| 2.2 电极结构图 |
| 2.3 双水电极实验装置图 |
| 第3章 壁电荷放电电流的测量分析 |
| 3.1 无壁电荷稳定电压的电场 |
| 3.2 有壁电荷稳定电压的电场 |
| 3.2.1 仅有壁电荷时对电场的分析 |
| 3.2.2 击穿导致壁电荷变化时电流的分析测量 |
| 3.3 交流电源时电流的分析测量 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 Voigt线型宽度的经验公式及其应用 |
| 4.1 三种展宽线型函数 |
| 4.1.1 洛仑兹线型函数和高斯线型函数 |
| 4.1.2 综合展宽线型函数 |
| 4.1.3 Voigt线型函数 |
| 4.2 Voigt函数线宽的经验公式 |
| 4.3 经验公式的应用 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 平板介质阻挡放电实验研究 |
| 5.1 两种不同电介质下不同电压的实验研究 |
| 5.2 不同电压下放电功率和高斯线型宽度的计算 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表和已录用的论文 |
| 致谢 |
（9）颗粒填充复合材料静态电磁特性的理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 主要符号表 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.1.1 能源环境问题 |
| 1.1.2 储能技术 |
| 1.1.3 介电储能技术面临的挑战 |
| 1.2 电能技术中的复合材料 |
| 1.2.1 复合材料 |
| 1.2.2 纳米复合材料 |
| 1.3 介质材料电磁特性的物理基础 |
| 1.3.1 介质的极化 |
| 1.3.2 介质的磁化 |
| 1.3.3 介电常数 |
| 1.3.4 磁导率 |
| 1.4 颗粒填充复合材料等效电磁参数研究进展 |
| 1.4.1 颗粒填充复合材料等效介电常数计算模型研究 |
| 1.4.2 复合材料等效磁导率计算研究 |
| 1.4.3 复合材料等效电磁参数实验研究进展 |
| 1.5 复合材料电磁特性与储能的关系 |
| 1.6 研究意义和研究内容 |
| 1.6.1 研究意义 |
| 1.6.2 主要研究内容 |
| 第2章 颗粒填充复合材料等效电磁参数计算原理 |
| 2.1 静态电磁场 |
| 2.1.1 Maxwell方程 |
| 2.1.2 静态电磁场方程 |
| 2.1.3 静态电磁场的能量 |
| 2.2 颗粒填充复合材料的电磁场计算模型 |
| 2.2.1 颗粒填充复合材料的计算模型 |
| 2.2.2 球形颗粒半径、颗粒间距与颗粒体积比关系 |
| 2.3 复合材料等效电磁参数的计算方法 |
| 2.3.1 复合材料的等效介电常数 |
| 2.3.2 复合材料的等效磁导率 |
| 2.4 颗粒填充复合材料电磁场问题的求解 |
| 2.4.1 静态电磁场问题的主要求解方法 |
| 2.4.2 颗粒填充复合材料等效电磁参数的数值计算 |
| 第3章 球形颗粒填充两相复合材料的等效介电常数 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 模型 |
| 3.3 球形电介质颗粒填充复合材料的等效介电常数 |
| 3.3.1 球形电介质颗粒填充复合材料中的局部电场 |
| 3.3.2 平均场方法计算球形电介质颗粒填充复合材料的等效介电常数 |
| 3.3.3 平均能量法计算球形电介质颗粒填充复合材料的等效介电常数 |
| 3.4 球形金属颗粒填充两相复合材料的等效介电常数 |
| 3.4.1 静电场中的球形金属颗粒 |
| 3.4.2 球形金属颗粒填充复合材料局部电场 |
| 3.4.3 平均场方法计算球形金属颗粒填充复合材料的等效介电常数 |
| 3.4.4 平均能量法计算球形金属颗粒填充复合材料的等效介电常数 |
| 3.5 球形颗粒填充复合材料等效介电常数的分析与比较 |
| 3.5.1 场平均方法与能量平均方法比较 |
| 3.5.2 球形金属颗粒对复合材料等效介电常数的影响 |
| 3.5.3 与文献报道实验结果的比较 |
| 3.6 球形填充颗粒对复合材料介电常数和储能密度的影响 |
| 3.6.1 球形颗粒对复合材料等效介电常数的影响 |
| 3.6.2 球形填充颗粒对复合材料电能储能密度的影响 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 含界面相的纳米颗粒填充复合材料的等效介电常数 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 模型 |
| 4.3 含界面相的球形电介质纳米颗粒复合材料的等效介电常数 |
| 4.3.1 复合材料的局部电场 |
| 4.3.2 电介质纳米颗粒球电极化特性 |
| 4.3.3 平均场方法计算复合材料等效介电常数 |
| 4.3.4 平均能量法计算复合材料等效介电常数 |
| 4.4 含界面相金属纳米颗粒复合材料等效介电常数计算 |
| 4.4.1 静电场中的金属球 |
| 4.4.2 复合材料的局部电场 |
| 4.4.3 金属纳米颗粒球的等效极化特性 |
| 4.4.4 场平均法计算复合材料等效介电常数 |
| 4.4.5 平均能量法计算复合材料等效介电常数 |
| 4.5 含界面相的纳米颗粒复合材料等效介电常数的分析与比较 |
| 4.5.1 金属纳米颗粒的尺寸效应及界面相对复合材料等效介电常数的影响 |
| 4.5.2 平均场方法与平均能量法比较分析 |
| 4.5.3 与文献报道实验结果的比较 |
| 4.6 纳米颗粒尺寸及界面相对复合材料等效介电常数和储能密度的影响 |
| 4.6.1 纳米颗粒的尺寸效应及界面相对复合材料等效介电常数的影响 |
| 4.6.2 纳米颗粒尺寸及界面相对复合材料电能储能密度的影响 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 球形磁介质颗粒填充两相复合材料的等效磁导率 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 模型 |
| 5.3 球形磁介质颗粒填充复合材料的等效磁导率 |
| 5.3.1 复合材料局部磁场 |
| 5.3.2 平均场计算复合材料等效磁导率 |
| 5.3.3 平均能量法计算复合材料等效磁导率 |
| 5.4 临界温度下球形超导颗粒填充复合材料的等效磁导率 |
| 5.4.1 临界温度下静磁场中的超导颗粒模型 |
| 5.4.2 静磁场中的超导颗粒复合材料磁场计算 |
| 5.4.3 平均场方法计算临界温度下球形超导颗粒复合材料的等效磁导率 |
| 5.4.4 平均能量法计算临界温度下球形超导颗粒复合材料的等效磁导率 |
| 5.5 球形颗粒填充复合材料等效磁导率的分析与比较 |
| 5.5.1 平均场方法与平均能量法比较与分析 |
| 5.5.2 超导颗粒对复合材料等效磁导率的影响 |
| 5.5.3 与文献报道实验结果的比较 |
| 5.6 球形颗粒填充相对复合材料等效磁导率及储能密度的影响 |
| 5.6.1 填充相颗粒对复合材料等效磁导率的影响 |
| 5.6.2 球形填充颗粒对复合材料磁能储能密度的影响 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 含界面相球形纳米颗粒复合材料的等效磁导率 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 模型 |
| 6.3 含界面相球形纳米颗粒复合材料等效磁导率计算 |
| 6.3.1 复合材料的局部磁场 |
| 6.3.2 磁化纳米颗粒球的磁偶极子 |
| 6.3.3 平均场方法计算复合材料等效磁导率 |
| 6.3.4 平均能量法计算复合材料等效磁导率 |
| 6.4 含界面相超导纳米颗粒复合材料等效磁导率计算 |
| 6.4.1 临界温度下静磁场中的超导纳米颗粒模型 |
| 6.4.2 静磁场中的复合材料局部磁场 |
| 6.4.3 平均场方法计算临界温度下静磁场中的超导复合材料等效磁导率 |
| 6.4.4 平均能量法计算临界温度下超导复合材料等效磁导率 |
| 6.5 含界面相的纳米颗粒复合材料等效磁导率的分析与比较 |
| 6.5.1 平均场方法与平均能量法比较 |
| 6.5.2 超导纳米颗粒对复合材料等效磁导率的影响 |
| 6.6 纳米颗粒尺寸效应及界面相对复合材料等效磁导率及储能密度的影响 |
| 6.6.1 纳米颗粒尺寸效应及界面相对复合材料等效磁导率的影响 |
| 6.6.2 极端情况下纳米颗粒界面相对复合材料等效磁导率的影响 |
| 6.6.3 纳米颗粒尺寸效应及界面相对复合材料磁能储能密度的影响 |
| 6.7 本章小结 |
| 第7章 结论和展望 |
| 7.1 本文的主要结论 |
| 7.2 本文主要创新点 |
| 7.3 后续工作及展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和研究成果 |
| 致谢 |
（10）基于半经典理论的量子等离激元特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 表面等离激元概述 |
| 1.2 经典等离激元:局域Drude-Lorentz体材料色散模型 |
| 1.3 量子等离激元 |
| 1.3.1 空间非局域光学响应 |
| 1.3.2 电子溢出(隧穿) |
| 1.4 流体动力学模型研究进展 |
| 1.5 本文研究内容 |
| 第2章 表面等离激元激发的半经典理论 |
| 2.1 麦克斯韦理论和介质的电磁特性 |
| 2.2 非局域光学响应的唯象理论 |
| 2.3 流体动力学模型及其线性化 |
| 2.4 Hydrodynamic Drude model(HDM) |
| 2.4.1 HDM模型下的电磁模式 |
| 2.4.2 边界条件 |
| 2.4.3 电荷分布 |
| 2.5 广义非局域光学响应 (GNOR) |
| 2.6 Thomas-Fermi-Dirac-von Weizs?cker Hydrodynamic theory |
| 2.7 非线性表面等离激元 |
| 2.7.1 非局域光学响应下的非线性表面等离激元时域方程 |
| 2.7.2 局域光学响应下的非线性表面等离激元时域方程 |
| 2.7.3 流体Drude模型下的非线性表面等离激元频域方程 |
| 2.7.4 局域Drude模型下的非线性表面等离激元频域方程 |
| 2.7.5 广义非局域光学响应下的非线性表面等离激元频域方程 |
| 2.8 HDM和GNOR理论方程改进 |
| 2.9 QHT下金属中电磁场能量 |
| 2.10 小结 |
| 第3章 电子的量子特性对金属纳米结构光学性质的影响 |
| 3.1 单个纳米线的吸收谱 |
| 3.2 电荷扩散对纳米线与半无限大介质相互作用的影响 |
| 3.2.1 金属Au忽略带间影响 |
| 3.2.2 金属Ag考虑带间影响 |
| 3.3 Ag纳米线和石墨烯相互作用:非局域效应影响 |
| 3.4 电子溢出(隧穿)对表面等离激元的影响 |
| 3.5 非线性表面等离激元初步研究:非局域光学响应影响 |
| 3.6 小结 |
| 研究总结和展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间研究成果 |
| 致谢 |
四、浅谈电位移矢量与自由电荷束缚电荷的关系（论文参考文献）
- [1]基于电-热耦合模型的复合材料雷击防护优化[D]. 赵淼. 中国民航大学, 2020(01)
- [2]考虑邻近效应的空间弯曲线束电磁辐射快速计算方法研究[D]. 于万里. 电子科技大学, 2020(07)
- [3]PEEK材料介电特性及其影响因素研究[D]. 翟宾. 华北电力大学(北京), 2020(06)
- [4]“光学厚”材料的太赫兹时域光谱研究[D]. 郭泉. 国防科技大学, 2019(01)
- [5]纳米Al2O3与TiO2及其氟化处理对环氧树脂表面绝缘特性的影响[D]. 阮浩鸥. 华北电力大学, 2019(06)
- [6]经典场论若干问题的研究[D]. 许洋. 北京工业大学, 2019(04)
- [7]全介质微纳结构中Fano共振现象及其应用研究[D]. 周朝彪. 华中科技大学, 2019(03)
- [8]壁电荷对平板介质阻挡放电特性的影响[D]. 袁春琪. 华北电力大学, 2019(01)
- [9]颗粒填充复合材料静态电磁特性的理论研究[D]. 向泰. 云南师范大学, 2018(01)
- [10]基于半经典理论的量子等离激元特性研究[D]. 纪昌银. 北京理工大学, 2016(03)